Na quantificação das interações dos fótons e elétrons com a matéria, a detecção de fótons desempenha um papel central, de modo que a caracterização dos detetores de fótons é necessária para um amplo leque de experiências e aplicações. A determinação precisa da eficiência e resposta desses detetores requer longos e custosos experimentos. Apesar das muitas tentativas de criar um método baseado em simulações com códigos Monte Carlo, de modo a reduzir o esforço dispendido nesse processo, a obtenção da eficiência e resposta dos detetores tem baixa precisão quando não é guiada por experimentos complementares. Este trabalho relata o conjunto das metodologias que desenvolvemos para obter a resposta e eficiência de detetores com boa precisão, combinando experimento, simulação e a construção de funções analíticas. Tanto as simulações quanto as expressões analíticas levaram em conta parâmetros físicos, como as dimensões do cristal, espessuras das camadas mortas e de outros componentes do detetor, que foram medidos, modelados e/ou calculados para fazer coincidir, dentro da incerteza experimental, a eficiência medida de feixes de fótons colimados. Alguns dos resultados desses estudos revelaram um efeito secundário de detecção que ainda não estava relatado na literatura. Os detetores caracterizados foram usados em diversas medidas de seções de choque do bremsstrahlung e da ionização de camadas atômicas internas com o feixe de elétrons do Microtron de São Paulo, que trouxeram novas contribuições ao estudo das interações dos fótons e elétrons com a matéria

Photon semiconductor detectors in the investigation of the interactions of electrons and photons with matter