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Dissertação de Mestrado
DOI
10.11606/D.3.2006.tde-23042007-141950
Documento
Autor
Nome completo
Ricardo de Souza
E-mail
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Paulo, 2006
Orientador
Banca examinadora
Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Presidente)
Alayo Chávez, Marco Isaías
Diniz, José Alexandre
Título em português
Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico.
Palavras-chave em português
Capacitor
Curva C-V
MOS
Óxido de porta ultrafino
Ruptura dielétrica
Resumo em português
Neste trabalho, investigou-se capacitores MOS fabricados sobre superfícies irregulares contendo formas retangulares periódicas com 100 nm de altura, obtidas a partir de corrosão por plasma localizadas. Os óxidos de porta com 4,5 nm de espessura foram crescidos em ambientes ultrapuros de O2 ou pirogênico a fim de comparar a uniformidade de cobertura sobre os degraus verticais dos perfis retangulares. Foi mostrado que a oxidação pirogênica ou convencional na temperatura de 850 ºC permite obter óxidos de porta sobre degraus com altura de 100nm com baixa corrente de fuga e alto campo de ruptura. Esse comportamento pode ser interpretado como óxidos de porta perfeitamente amoldados sobre os degraus de 100nm de altura. O impacto deste resultado é agora a possibilidade de implementar óxidos de porta para transistores de porta envolvente e FinFETs.
Título em inglês
Fabrication and characterization of ultrathin MOS gate oxides grown onto flat and stepped surfaces using conventional and pirogenic processes.
Palavras-chave em inglês
C-V curve
Capacitor
Dielectric breakdown
MOS
Ultrathin gate oxide
Resumo em inglês
In this work, it was investigated MOS capacitors fabricated onto periodic rectangular shapes, 100 nm in height, obtained by localized plasma etching onto silicon wafer surfaces. 4.5-nm gate oxide growth was performed in ultrapure dry O2 or pyrogenic environments in order to compare the coverage uniformity at the step edges of rectangular shapes defined onto the silicon surfaces. It was shown that pyrogenic and conventional oxidation at 850 ºC allows one to obtain gate oxides on 100nm-stepped silicon surfaces with low leakage current and high dielectric breakdown field. This behavior can be understood as highly conformal gate oxides over silicon steps with height of 100 nm. The impact of this result is now the feasibility of implementing gate oxides for surrounding gate transistors (SGT's) and FinFETs.
 
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RicardodeSouza.pdf (1.78 Mbytes)
Data de Publicação
2009-08-25
 
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