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Tese de Livre Docencia
DOI
https://doi.org/10.11606/T.3.2003.tde-11042022-071803
Documento
Autor
Nome completo
Silvio Ikuyo Nabeta
E-mail
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Paulo, 2003
Banca examinadora
Cardoso, Jose Roberto (Presidente)
Jacobina, Cursino Brandão
Sadowski, Nelson
Sales, Roberto Moura
Watanabe, Edson Hirokazu
Título em português
Acoplamento indireto de semicondutores ao método dos elementos finitos.
Palavras-chave em português
Circuitos elétricos
Método dos elementos finitos
Semicondutores
Resumo em português
Este trabalho apresenta a técnica do Acoplamento Indireto do modelo não-linear de um diodo ao Método dos Elementos Finitos. Dois métodos serão abordados: 1. o diodo será modelado por uma equação não-linear e acoplado indiretamente ao programa de elementos finitos em eletromagnetismo Olympos através do Matlab; 2. o circuito contendo o semicondutor é descrito pelo programa de análise de circuitos HSpice e este é acoplado de modo indireto ao Olympos, com gerenciamento do Matlab. Os referidos acoplamentos serão aplicados a um exemplo constituído de um reator sem saturação alimentado por uma fonte de tensão senoidal e uma ponte retificadora de meia onda. Os resultados numéricos serão comparados com resultados analíticos e resultados do HSpice.
Título em inglês
Wear coupling of semiconductors to the finite elements method.
Palavras-chave em inglês
Finite elements method
Semiconductors
Wear coupling
Resumo em inglês
This work presents the weak/indirect coupling technique of a nonlinear diode model with the Finite Element Method. Two methods will be shown: 1. the diode will be modeled by a nonlinear equation and weakly coupled to the FEM package Olympos by using the Matlab; 2. the circuit containing the semiconductor is described by the circuit-analyzer computational program HSpice which is weakly coupled to Olympos. The management and the data transfer between both programs are accomplished by Matlab. Both models will be applied to a study-case presenting a linear inductor fed by a sinusoidal voltage source through a half-wave rectifier. Simulations results will be compared to those from the analytical and the HSpice resolutions.
 
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Data de Publicação
2022-04-11
 
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