O presente trabalho possui como proposta o estudo do comportamento elétrico de transistores de múltiplas portas, FinFET (Fin Field-Effect-Transistor), de germânio com canal não tensionado do tipo p. Parte significativa deste estudo é identificar a influência do plano de terra no que se refere à concentração de dopantes e posicionamento no comportamento elétrico dos dispositivos. Neste caso, parâmetros elétricos principais como tensão de limiar, inclinação de sublimiar, transcondutância são estudados, além da análise de comportamento das correntes de dreno, fonte e substrato. Soma-se ao estudo, a verificação do comportamento da mobilidade, também sob o critério de investigar o efeito do plano de terra a este parâmetro. Para tal, foram utilizados dados obtidos por meio de medidas experimentais e simulação numérica tridimensional. Neste contexto, constatou-se com o uso das simulações e comparações aos dados experimentais que a variação da concentração de dopantes do plano de terra, implica na degradação da inclinação de subliminar, bem como uma direta dependência entre a transcondutância e a profundidade do. Adicionalmente observa-se que a variação da tensão de limiar VT para as medidas extraídas e simuladas são de aproximadamente 60 mV para o critério de concentração de dopantes e de 50 mV para a influência da profundidade do ground plane (GP) em relação à base da aleta.

This work proposes a study of the influence of the ground plane on non-strained p-channel germanium FinFETs. A significant part of this study is to identify the influence of the ground plane (doping concentration and its positioning) on main electrical parameters as threshold voltage, subthreshold swing, transconductance and drain, source and substrate currents analysis. In addition, the low-field carrier mobility behavior is evaluated for the same investigated ground plane effect criteria. In this context, both experimental and numerical TCAD simulation data are investigated. The main findings are that the variation of doping concentration in the ground plane region implies on a degradation of the threshold voltage and that the ground plane position plays a role in the transconductance parameter. Additionally, it is observed that a variation of VT (?VT) for the simulated data is approximately 60 mV for the doping concentration criterion and 50 mV for the influence of the ground plane depth, considering different fin width values.