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Dissertação de Mestrado
DOI
10.11606/D.54.1987.tde-22052009-131752
Documento
Autor
Nome completo
Valmir Antonio Chitta
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Carlos, 1987
Orientador
Banca examinadora
Marques, Gilmar Eugenio (Presidente)
Ioriatti Junior, Liderio Citrangulo
Leite, Jose Roberto
Título em português
Propriedades eletrônicas de hetero-estruturas de semicondutores zincblende.
Palavras-chave em português
Estrutura eletrônica
Heteroestruturas semicondutoras
Magneto-óptica
Método k.p
Semicondutores II-IV
Resumo em português
Utilizou-se um Hamiltoniano KP (6x6) do tipo Kane para, se estudar a estrutura de bandas e níveis de Landau para heteroestruturas de semicondutores zincblende dos grupos III-V e II-VI. Os efeitos do acoplamento entre as bandas de condução e valência, da mistura dos estados da banda de valência, da não-parabolicidade dos níveis, da total degenerescência dos níveis, do warping e das descontinuidades das massas efetivas nas heterointerfaces são levados em conta. Mostrou-se que a interação entre as bandas de condução e valência não pode ser desprezada, mesmo para semicondutores de gap largo, como citado em trabalhos existentes na literatura. Para um estudo sistemático do modelo, utilizou-se um poço quântico de GaAs Ga(Al)As e então aplicou-se o modelo a um sistema de semicondutores semi-magnéticos (poço quântico de CdTe Cd(Mn)Te).
Título em inglês
Electronic properties of zincbled semiconductor heterostructures.
Palavras-chave em inglês
Electronic structure
II-IV semiconductors.
k.p Method
Magneto-optics
Semiconductor heterostructures
Resumo em inglês
A Kane-like (6x6) KP Hamiltonian is used to study the subband structure and Landau levels for group III-V and group II-VI zincblende semiconductor heterostructures. The effects of conduction-valence band coupling, valence band states mixing, nonparabolicity of the levels, the full degeneracy of the levels, warping and effective masses discontinuities at the heterointerfaces are taken into account. It is shown that the interaction between conduction-valence bands cannot be neglected, even so the semicondutctor have wide gap, as claimed in previous work in the literature. GaAs-Ga(Al)As quantum well was used as a model for a systematic study of the effects of each effective KP parameters. Then, it was applied to the study the subband structure of semi-magnetic semiconductor system (a quantum well of CdTe-Cd(Mn)Te.
 
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Data de Publicação
2009-05-26
 
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