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Dissertação de Mestrado
DOI
10.11606/D.54.1988.tde-09032009-151729
Documento
Autor
Nome completo
Francisco Aparecido Pinto Osorio
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Carlos, 1988
Orientador
Banca examinadora
Degani, Marcos Henrique (Presidente)
Guimarães, Paulo Sérgio Soares
Oliveira, Luiz Eduardo Moreira Carvalho de
Título em português
Efeitos polarônicos em estruturas semicondutoras em uma e duas dimensões.
Palavras-chave em português
Fio quântico
Impureza doadora em semicondutores
Interação elétron-fonon
Polaron
Ressonância de cíclotron
Resumo em português
Neste trabalho estudamos os efeitos polarônicos sobre um gás de elétrons quase bidimensional presente em heteroestruturas semicondutoras (heterojunções e poços quânticos de GaAs-AlGaAs) sob a ação de um campo magnético uniforme aplicado na direção perpendicular a interface, através de teoria de perturbação de segunda ordem. Calculamos a massa ciclotrônica considerando a interação elétron-fonon LO e os efeitos de blindagem e não parabolicidade da banda de condução do GaAs. Os resultados obtidos são comparados com recentes dados experimentais de ressonância ciclotronica e apresentam ótima concordância. Estudamos também a energia de ligação do estado fundamental de uma impureza hidrogenóide localizada no interior de um fio quântico retangular de GaAs envolvido por AlGaAs, como função das dimensões do fio para varias alturas das barreiras de variacional, usando várias formas para a função de onda tentativa do sistema. Consideramos também a contribuição polarônica a energia de ligação. Comparamos nossos resultados com recentes cálculos da energia de ligação, efetuados por outros autores.
Título em inglês
Polaronic effects in one and two dimensional semiconductor heterostructures.
Palavras-chave em inglês
Cyclotron resonance
Electron-phonon interaction
Impurity donor in a semiconductor
Polaron
Quantum wire
Resumo em inglês
In this work we study the polaronic effects on the two dimensional electron gas present in semiconductor heteroestructures (GaAs-AlGaAs heterojunctions and quantum wells) when a uniform magnetic field is applied perpendicular to the interface, using second order perturbation theory. By taking into account the effect of nonparabolicity and screening of the electron-fonon LO interaction the calculated effective mass is compared to the recent experimental date. Good agreement is found with available date. The binding energies of a hydrogenic impurity located in quantum well wires of GaAs surrounded by AlGaAs are calculated as a functions of the size of the wire for several values of the heights of the potential barriers and diferent positions of the impurity inside the wire. We follow a variational approach choosing several trial wave functions for the ground state. The polaronic contribution to the binding energy is considered. We compare our results with those previously obtained by other authors.
 
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Data de Publicação
2009-04-08
 
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