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Dissertação de Mestrado
DOI
10.11606/D.43.2007.tde-25082009-080807
Documento
Autor
Nome completo
Álvaro Diego Bernardino Maia
E-mail
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Paulo, 2007
Orientador
Banca examinadora
Goussev, Guennadii Mikhailovitch (Presidente)
Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Silva, Sebastião William da
Título em português
Efeitos de spin em poços quânticos largos
Palavras-chave em português
GaAs
MBE
Poços Quânticos
Semicondutores
Resumo em português
Este trabalho apresenta o resultado de investigações sobre efeitos de spin em amostras de poços quânticos simples e duplos de AlGaAs, crescidos em substratos de GaAs por MBE - Molecular Beam Epitaxy. O estudo se concentra na variação do fator g de Landé ao longo da estrutura dos poços, a qual ocorre em virtude da dependência dessa grandeza, com respeito ao conteúdo de Al na liga AlGaAs. Através de cálculos autoconsistentes foram encontradas a distribuição eletrônica nos poços e a penetração da densidade eletrônica nas barreiras. Os cálculos se basearam em valores de densidade superficial de elétrons ns medidos experimentalmente em diversas amostras através de medidas de Hall e Shubnikov-de Haas. O estudo permitiu a determinação do valor esperado do fator g de Landé, em função do deslocamento da densidade eletrônica dentro dos poços devido `a ação de campos elétricos externos arbitrário. Também foi estudada a influência do tunelamento da densidade eletrônica dos poços.
Título em inglês
Study of Landé G factor on single and double quantum wells of AlGaAs
Palavras-chave em inglês
G factor
MBE
Quantum Well
Semiconductor
Resumo em inglês
In this work we presents the results of our investigations concerning MBE grown AlGaAs/GaAs single and double quantum well samples. We focused on the variation of the Land´e g factor along the structure of the quantum wells, which occur as a consquence of its dependence on the Al content on the alloy AlGaAs. The electronic distribution on the wells and the penetration of the eletronic density into the barriers of the samples were found through selfconsistent calculations. The calculations were based on the eletronic sheet density ns measured through Hall and Shubinikov-de Haas efects. This research allowed the determination of the expected value of the Landé g-factor, as a function of the displacement of the electronic state inside the wells due to an arbitrary external electric field action. Also the influence of the tunneling effects was also studied.
 
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ds_mestrado.pdf (7.09 Mbytes)
Data de Publicação
2009-08-28
 
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