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Mémoire de Maîtrise
DOI
https://doi.org/10.11606/D.43.2009.tde-25062009-110756
Document
Auteur
Nom complet
João Bosco de Siqueira
Adresse Mail
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Paulo, 2009
Directeur
Jury
Brandt, Fernando Tadeu Caldeira (Président)
Guimarães, Maria Emília Xavier
Rivelles, Victor de Oliveira
Titre en portugais
Efeitos térmicos na gravitação em um calibre geral
Mots-clés en portugais
Dinamica molecular
Semicondutores
Superfície
Resumé en portugais
Utilizando a Dinâmica Molecular Tight Binding (TBMD), parametrizada para sistemas de carbono e hidrogênio, simulamos com condições periódicas de contorno e modelos de fatia, superfícies de diamante (100) puras e hidrogenadas em modelos de reconstruções ideais usualmente presentes na literatura, analisando o seu comportamento geométrico e eletrônico. Em seguida abordamos o comportamento morfológico e eletrônico, em simulações com temperaturas que variam entre 100K e 2000K de dois modelos de superfícies mono hidrogenadas, que apresentam dois domínios em torno de uma estrutura de depressão local, característica de lmes de alta rugosidade. Em oposição à grande estabilidade térmica exibida pelo modelo monohidrogenado ideal e pelas colunas continuas de dímeros, os modelos com depressão apresentaram signicativa migração de átomos de hidrogênio para regiões subsuperficiais. Em nossas simulações os átomos de hidrogênio ficaram confinados nas regiões subsuperficiais, introduzindo uma desordem morfológica na superfície e nas regiões internas na fatia, induzindo estados eletrônicos nesta região, que levam ao fechamento do gap, passando a caracterizar uma fase quase-metálica.
Titre en anglais
Theoretical study on the thermal behavior of (100) monohydrogenated diamond surfaces
Mots-clés en anglais
Molecular dynamics
Semiconductors
Surfaces
Resumé en anglais
By using the Tight Binding Molecular Dynamics (TBMD), parametrized to describe carbon and hydrogen atoms composed of systems, we apply periodic boundary conditions, slab models in order to simulate (100) clean and hydrogenated diamond surfaces. We study rst the standard models used in the literature, analyzing their geometrical and eletronic behavior. We then focus on the morphological and electronic properties, in simulations under nite temperature dynamics ranging from 100K up to 2000K, of two distinct models of monohydride surfaces; Each model exhibits two distincts domains in the surface pattern characterized by a local depression, characteristic of rough surfaces. In opposition to the high thermal stability observed for ideal monohydrogenated surfaces and the extended dimer rows, these models showed an expressive hydrogen migration to the subsurface regions. In our simulations the hydrogen atoms remain in the subsurface regions, but introduce morphological disorder at the surface and in the slab internal regions. These hydrogen atoms induce electronic states mostly localized in the subsurface region, which are responsible for closing the gap, and leading the system to exhibit a quasi-metallic phase.
 
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Date de Publication
2010-05-12
 
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