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Tese de Doutorado
DOI
https://doi.org/10.11606/T.3.2016.tde-15062016-160810
Documento
Autor
Nome completo
Augusto Ken Morita
E-mail
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Paulo, 2015
Orientador
Banca examinadora
Noije, Wilhelmus Adrianus Maria Van (Presidente)
Centoducatte, Paulo Cesar
Chau, Wang Jiang
Soares Junior, Joao Navarro
Susin, Altamiro Amadeu
Título em português
Projeto e desenvolvimento de uma arquitetura de baixo consumo de potência para microprocessadores.
Palavras-chave em português
Arquitetura
Consumo de energia elétrica
Microprocessadores
Potência
Resumo em português
O trabalho trata do projeto e do desenvolvimento de um processador de baixo consumo de potência, de forma simplificada, explorando técnicas de microarquitetura, para atingir menor consumo de potência. É apresentada uma sequência lógica de desenvolvimento, a partir de conceitos e estruturas básicas, até chegar a estruturas mais complexas e, por fim, mostrar a microarquitetura completa do processador. Esse novo modelo de processador é comparado com estudos prévios de três processadores, sendo o primeiro modelo síncrono, o segundo assíncrono e o terceiro uma versão melhorada do primeiro modelo, que inclui minimizações de registradores e circuitos. Uma nova metodologia de criação de padring de microcontroladores, baseada em reuso de informações de projetos anteriores, é apresentada. Essa nova metodologia foi criada para a rápida prototipagem e para diminuir possíveis erros na geração do código do padring. Comparações de resultados de consumo de potência e área são apresentadas para o processador desenvolvido e resultados obtidos com a nova metodologia de geração de padring também são apresentados. Para o processador, um modelo, no qual se utilizam múltiplos barramentos para minimizar o número de ciclos de máquina por instrução, é apresentado. Também foram ressaltadas estruturas que podem ser otimizadas e circuitos que podem ser reaproveitados para diminuir a quantidade de circuito necessário na implementação. Por fim, a nova implementação é comparada com os três modelos anteriores; os ganhos obtidos de desempenho com a implementação dessas estruturas foram de 18% que, convertidos em consumo de potência, representam economia de 13% em relação ao melhor caso dos processadores comparados. A tecnologia utilizada no desenvolvimento dos processadores foi CMOS 250nm da TSMC.
Título em inglês
Design and implementation of low power architecture for microcontroller.
Palavras-chave em inglês
Architecture
Low power
Microcontroller
Power
Processor
Resumo em inglês
This work is a development and implementation of a low power processor in a simplified way, exploring microarchitecture techniques to achieve low power consumption. A logic sequence of design flow is presented, starting from basic concepts and circuit structures incrementing these concepts and structures to achieve a complex microarchitecture of a processor. A new methodology for microcontroller padring creations based in reuse of previous project information is presented. This new methodology was developed for fast prototyping and decreases the possible error in generation of microcontroler padring code creation. This new microarchitecture is compared with three previous processors, one is an original synchronous version, the second is an asynchronous version, and the third is based on the first model with register and circuit minimizations. Results of area and power consumption are compared with this new proposed architecture. The new model uses multiple buses with access timing tuned for different internal blocks. This timing tuning decrease the number of machine cycle necessary per instruction. In addition, it presents some macro block circuit partition and circuit reuse to minimize the circuit necessary for implementation. The gain obtained in performance with these new structures was 18%, converting to power consumption, it represent a decrease in 13% in relation with the best of three processor compared. The technology used in the development of these processors was CMOS 250nm from TSMC.
 
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Data de Publicação
2016-06-17
 
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