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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.76.1997.tde-14012009-094440
Documento
Autor
Nombre completo
Galo Emilio Sisniegas Charcape
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Carlos, 1997
Director
Tribunal
Basmaji, Pierre (Presidente)
Oliveira, Luiz Nunes de
Quivy, Alain Andre
Título en portugués
Crescimento de In0.52Al0.48As e In0.53Ga0.47As sobre InP por MBE
Palabras clave en portugués
Crescimento de estruturas de gases bidimensionais
InP
MBE
Resumen en portugués
Neste trabalho a epitaxia por feixes moleculares (Molecular Beam Epitaxy: MBE) foi utilizada para crescer estruturas de gases bidimensionais a base de In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As sobre substrato de fosfeto de índio (InP) e analisar suas propriedades estruturais. elétricas e óticas através de técnicas de caracterização, tais como efeito Hall, fotoluminescência (FL). Shubnikov-de Haas (SdH) e microscopia eletrônica de varredura (MEV). A calibração dos parâmetros de crescimento tais como a taxa de crescimento e a composição das ligas In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As foi feita através da observação das oscilações da da difração de elétrons de alta energia observado em reflexão (Reflection High-Energy Electron Difraction : RHEED) A densidade de dopante tipo n (em nosso caso. 0 silício) foi determinada posteriormente através de medidas de efeito Hall usando a técnica de Van der Pauw. Os resultados da Fotoluminescência mostram uma transição doador-banda com largura a meia altura (Full Width at Half Maximum : FWHM) de aproximadamente 23 meV, para a liga de In0.52Al0.48As. A formação de gás bidimensional nestas mesmas amostras tem sido observado indiretamente pela ocorrência de oscilações SdH.
Título en inglés
Growth of the In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As on InP by MBE
Palabras clave en inglés
Growth of two-dimensional structure of gases
InP
MBE
Resumen en inglés
In this work Molecular Beam Epitaxy (MBE) was used to growth bidimensional gas structures based on In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As on Indium Phosfate substrate (lnP) Structural. electrical and optical properties were analyzed by characterisation techniques such as Hall eflect, photoluminescence (PL), Shubnikov-de Haas (SdH) and Scanning Electron Microscope (SEM) Growth parameter calibration such as growth rate and alloy composition of In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As was determined through observation of Reflexion High-Energy Electron Diffraction (RHEED) oscillation. Density of type dopant (in our case silicon Si) was obtained by. Hall effect measurements using Van der Pauw geometry Photoluminescence results show donor to band transition with Full Width at Half Maxima (FHWM) of approximatly 23meV, for the In0.52Al0.48As alloy. Bidimensional gas formation was indirectly observed in these samples through SdH oscillations.
 
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Fecha de Publicación
2009-01-19
 
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