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Mémoire de Maîtrise
DOI
10.11606/D.76.1994.tde-11092007-105735
Document
Auteur
Nom complet
Lino Misoguti
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 1994
Directeur
Jury
Bagnato, Vanderlei Salvador (Président)
Basmaji, Pierre
Chambouleyron, Ivan Emilio
Titre en portugais
Técnica de grade de fotoportadores em estado estacionário
Mots-clés en portugais
a-Si:H
Células solares
Comprimento de difusão
Filmes finos
Fotoportadores
Silício amorfo
Resumé en portugais
Apresentamos neste trabalho uma técnica nova e simples para medida de propriedades de transporte e de cinética de portadores em semicondutores isolantes fotocondutivos. Determinamos propriedades importantes como comprimento de difusão e produto mobilidade-tempo de vida dos portadores no silício amorfo hidrogenado (a-SI:h). Esta técnica baseia-se no efeito de uma grade de concentração de fotoportadores em estado estacionário, criado pela luz de um laser, na condutância de um semicondutor. Assim é possível determinar indiretamente as propriedades de transporte ou de cinética pela simples medida da fotocondutividade na presença de grade de fotoportadores em diferentes condições. o a-S-:h é um semicondutor relativamente novo que merece destaque devido a sua potencialidade para aplicação. Ele é um excelente material fotocondutor produzido na forma de filmes finos. É atualmente largamente utilizado em células solares, fotosensores de grande área e transistores de filmes finos. A sua obtenção, apesar de ser simples, envolve processos complexos e empíricos no processo de formação dos filmes. Portanto é vital o conhecimento das propriedades de transporte e cinética deste material como uma referência da qualidade do material produzido.
Titre en anglais
Steady-state photocarrier grating techique
Mots-clés en anglais
a-Si:H
Amorphous silicon
Diffusion length
Photocarrier
Solar cells
Thin films
Resumé en anglais
In this work we present a new and simple technique to measure transport and kinetic properties in photoconductive insulator semiconductors. Important properties as diffusion length and mobility-lifetime product of hydrogenated amorphous silicon (a-SI:h) was determined. This technique is based on the effect of a steady-state photocarrier grating concentration in the semiconductor conductance created by laser light. It is possible to determine indirectly the transport and kinetic properties simply by measuring photoconductive in the presence of photocarrier grating under diferents condition. The a-SI:h is a reactive new semiconductor with an outstanding potenciality for applications. It is an excellent photoconductor material produced in thin-film forms. Nowadays it has been used in large scale in solar cells, big area photosensor and thin-¬film transistor. Although its production is simple, the formation process of the thin-films is complex and empirical. Therefore the value of the transport and kinetic properties of this material is essential as a reference of quality of the produced material.
 
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LinoMmisoguti.pdf (5.80 Mbytes)
Date de Publication
2007-10-03
 
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