• JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
 
  Bookmark and Share
 
 
Mémoire de Maîtrise
DOI
10.11606/D.76.2000.tde-05052010-153410
Document
Auteur
Nom complet
Fabio Garcia Gatti
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 2000
Directeur
Jury
Scalvi, Luis Vicente de Andrade (Président)
Guimaraes, Francisco Eduardo Gontijo
Poussep, Iouri
Titre en portugais
Uma contribuição para caracterização de níveis de energia de impurezas em AlxGa1-xAs tipo n.
Mots-clés en portugais
Defeitos
Mobilidade
Semicondutores
Resumé en portugais
Neste trabalho apresentamos medidas de fotocondutividade, decaimento da fotocondutividade persistente, resistência em função da temperatura em amostras de AlxGa1-xAs de gap direto e indireto, dopadas com Si. Comparamos as teorias de Brooks-Herring e Takimoto, ambas referentes ao espalhamento por impurezas ionizadas, e sua aplicabilidade para nosso material. Interpretamos a presença de um estado de energia intermediário nos cálculos da energia de ativação baseado nos resultados de concentração de elétrons livres em função da temperatura .como devido ao defeito D-. Nos resultados de decaimento da fotocondutividade persistente no intervalo de 80 - 100K, contamos com a contribuição do espalhamento por dipolos e propomos o par d+ - VAS- como os responsáveis pela formação destes dipolos e conseqüente melhoria do ajuste da simulação numérica.
Titre en anglais
A contribution of characterization impurities bandgap in AlxGa1-xAs type n.
Mots-clés en anglais
Defects
Mobility
Semiconductors
Resumé en anglais
In this work, we show results of photoconductivity, decay of persistent photoconductivity, resistance x temperature in Si doped direct and indirect bandgap AlxGa1-xAs. We compare Brooks-Herring and Takimoto theories, both in reference to ionized impurity scattering applied to our material. We interpret the intermediate state in our calculation of activation energy as a D- defect. In the numerical simulation of decay of persistent photoconductivity in the range 80-100 K, we propose the dipole pair d+ - VAS- responsible for the fitting improvement, when the dipole scattering is taken into account.
 
AVERTISSEMENT - Regarde ce document est soumise à votre acceptation des conditions d'utilisation suivantes:
Ce document est uniquement à des fins privées pour la recherche et l'enseignement. Reproduction à des fins commerciales est interdite. Cette droits couvrent l'ensemble des données sur ce document ainsi que son contenu. Toute utilisation ou de copie de ce document, en totalité ou en partie, doit inclure le nom de l'auteur.
FabioGattiM.pdf (3.04 Mbytes)
Date de Publication
2010-05-13
 
AVERTISSEMENT: Apprenez ce que sont des œvres dérivées cliquant ici.
Tous droits de la thèse/dissertation appartiennent aux auteurs
Centro de Informática de São Carlos
Bibliothèque Numérique de Thèses et Mémoires de l'USP. Copyright © 2001-2021. Tous droits réservés.