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Master's Dissertation
DOI
10.11606/D.76.2000.tde-05052010-153410
Document
Author
Full name
Fabio Garcia Gatti
Institute/School/College
Knowledge Area
Date of Defense
Published
São Carlos, 2000
Supervisor
Committee
Scalvi, Luis Vicente de Andrade (President)
Guimaraes, Francisco Eduardo Gontijo
Poussep, Iouri
Title in Portuguese
Uma contribuição para caracterização de níveis de energia de impurezas em AlxGa1-xAs tipo n.
Keywords in Portuguese
Defeitos
Mobilidade
Semicondutores
Abstract in Portuguese
Neste trabalho apresentamos medidas de fotocondutividade, decaimento da fotocondutividade persistente, resistência em função da temperatura em amostras de AlxGa1-xAs de gap direto e indireto, dopadas com Si. Comparamos as teorias de Brooks-Herring e Takimoto, ambas referentes ao espalhamento por impurezas ionizadas, e sua aplicabilidade para nosso material. Interpretamos a presença de um estado de energia intermediário nos cálculos da energia de ativação baseado nos resultados de concentração de elétrons livres em função da temperatura .como devido ao defeito D-. Nos resultados de decaimento da fotocondutividade persistente no intervalo de 80 - 100K, contamos com a contribuição do espalhamento por dipolos e propomos o par d+ - VAS- como os responsáveis pela formação destes dipolos e conseqüente melhoria do ajuste da simulação numérica.
Title in English
A contribution of characterization impurities bandgap in AlxGa1-xAs type n.
Keywords in English
Defects
Mobility
Semiconductors
Abstract in English
In this work, we show results of photoconductivity, decay of persistent photoconductivity, resistance x temperature in Si doped direct and indirect bandgap AlxGa1-xAs. We compare Brooks-Herring and Takimoto theories, both in reference to ionized impurity scattering applied to our material. We interpret the intermediate state in our calculation of activation energy as a D- defect. In the numerical simulation of decay of persistent photoconductivity in the range 80-100 K, we propose the dipole pair d+ - VAS- responsible for the fitting improvement, when the dipole scattering is taken into account.
 
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FabioGattiM.pdf (3.04 Mbytes)
Publishing Date
2010-05-13
 
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