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Disertación de Maestría
DOI
https://doi.org/10.11606/D.54.1980.tde-26052014-114248
Documento
Autor
Nombre completo
Alcione Silva Fernandes
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Carlos, 1980
Director
Título en portugués
Decaimento do potencial de um plasma numa matriz sólida em geometria plana
Palabras clave en portugués
Decaimento de potencial
Matriz sólida
Plasma
Resumen en portugués
Neste trabalho estudamos o decaimento do potencial de um plasma, inicialmente distribuído de maneira uniforme num sólido dielétrico, submetido a um potencial inicial conhecido. A possibilidade de recombinação entre os portadores positivos e negativos constituintes do plasma é considerada. Usando o método das características obtemos o potencial e a configuração espacial de portadores para qualquer instante bem como, a carga residual nos eletrodos ao final do processo. Dois casos particulares são igualmente resolvidos: no primeiro, a mobilidade relativa dos portadores é relacionada ao coeficiente de recombinação entre eles através da relação de Langevin e, no segundo, considera-se que os portadores não se recombinam. No desenvolvimento da solução ao problema surge, também, uma considerável quantidade de informações à respeito da dinâmica dos portadores no interior do dielétrico
Título en inglés
Potential decay of a plasma of charges inside a solid matrix, in plane symmetry
Palabras clave en inglés
Plasma
Potential decay
Solid matrix
Resumen en inglés
In the present work we studied the decay of the potential of a plasma which is initially uniformely distributed in a solid from a given initial value.. The possibility of recombination between the positive and negative charge carriers of the plasma is also considered. Using the method of characteristics, we obtained the potential and space distribution of charge carries for any time and also residual charge in the electrodes at end of the process. Two particular cases are considered. In the first case, the relative mobility of charge carriers is related to their recombination coefficient through Langevin's relation and, in the second case, the recombination of charge carrier is absent.. The solution affords considerable information about the charge dynamics inside the dielectric solid
 
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Fecha de Publicación
2014-05-27
 
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