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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.54.1987.tde-22052009-133717
Documento
Autor
Nombre completo
Ivo Alexandre Hummelgen
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Carlos, 1987
Director
Tribunal
Dumke, Vicente Roberto (Presidente)
Carvalho, Rene Ayres
Rodrigues, José de Anchieta
Título en portugués
Investigação de problemas relacionados a mobilidade térmica de discordâncias utilizando aplicação de carga concentrada.
Palabras clave en portugués
Carga concentrada
Discordâncias
Mobilidade térmica
Resumen en portugués
A mobilidade térmica de discordância foi investigada em silício puro, floating zone, livre de discordâncias, utilizando medidas de rosetas produzidas por indentação. A mobilidade das discordâncias produzidas em amostras cobertas com camada de óxido crescida termicamente foi comparada com a de superfície não coberta. Um aumento da mobilidade térmica foi encontrado em amostras cobertas. Também foram obtidas informações sobre modificações na estrutura de discordâncias em rosetas relacionadas à anisotropia na dureza. Esse efeito foi encontrado como sendo dependente da temperatura.
Título en inglés
Investigation of problems related to the thermal mobility of dislocations using indentation.
Palabras clave en inglés
Dislocations
Indentation
Thermal mobility
Resumen en inglés
The thermal mobility of dislocations was investigated in intrinsic floating zone dislocation free silicon using indentation dislocation rosette (IDR) measurements. The mobility of introduced dislocations in samples covered with a thermal oxide layer was compared with that with a bare surface. An increase on dislocation thermal mobility was found in covered samples. Also information about dislocations pattern structure modifications on IDR related to hardness anisotropy was obtained. This effect was found to be temperature dependent.
 
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Fecha de Publicación
2009-05-26
 
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