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Tese de Doutorado
DOI
Documento
Autor
Nome completo
Edson Salvador Octaviano
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Carlos, 1991
Orientador
Banca examinadora
Andreeta, Jose Pedro (Presidente)
Aegerter, Michel Andre
Camargo, Paulo Cesar de
Morato, Spero Penha
Terrile, Maria Cristina
Título em português
Influencia de campo elétrico na segregação de dopantes durante o processo de crescimento de cristais pelo método Czochralski
Palavras-chave em português
Campo elétrico
Crescimento LiNbO3
Segregação de dopantes
Resumo em português
Em processos de crescimento de cristais pelo método de Czochralski, é observado que um campo elétrico aplicado ao cristal durante o processo de crescimento modifica a quantidade de dopante incorporada ao cristal. É desenvolvido um modelo, baseado na teoria de Burton, Prim e Slichter, levando-se em consideração as duas classes de material envolvidas, os óxidos e os semicondutores, e os efeitos produzidos pelo campo elétrico, eletromigração, subresfriamento constitucional, Efeito Peltier e efeito Seebeck. Resultados experimentais obtidos em crescimentos de LiNbO3:Cr2O3 e Si:Al são usados para aplicações do modelo
Título em inglês
Electric field Influence on the segregation of dopants during crystal growth by Czochralski method
Palavras-chave em inglês
Electric field
LiNbO3 growth
Segregation of dopants
Resumo em inglês
In crystal growth processes through the Czochralski method, it is observed that an electrical field applied to the crystal during the growth process modifies the quatity of the dopant incorporated to the crystal. A model is developed based on Burton, Prim and Slichter´s theory, taking into consideration two classes of materials, the oxides and the semiconductors, and the effects produced by the electrical field, electromigration, constitutional supercooling, Peltier Effect, Seebeck Effect. Experimental results obtained from the growth of the LiNbO3:Cr2O3 e Si:Al singlecrystals are used to the model application
 
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Data de Publicação
2014-08-21
 
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