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Tese de Doutorado
DOI
10.11606/T.54.1993.tde-09032009-150110
Documento
Autor
Nome completo
Airton Carlos Notari
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Carlos, 1993
Orientador
Banca examinadora
Basmaji, Pierre (Presidente)
Castro Neto, Jarbas Caiado de
Chitta, Valmir Antonio
Iikawa, Fernando
Motisuke, Paulo
Título em português
Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares.
Palavras-chave em português
Crescimento de semicondutores
Dopagem
EFM
Semicondutores III-V
Resumo em português
Amostras de Semicondutores III-V foram crescidas usando a técnica de Epitaxia por feixes Moleculares. As propriedades elétricas das estruturas de GaAs com dopagem planar com Silício foram investigadas, e também a saturação e a difusão do Silício nestas amostras. As propriedades ópticas e elétricas das estruturas dopadas planarmente com Selênio foram analisadas, usando as técnicas de Capacitância-voltagem e a de Tunelamento resonante. As propriedades elétricas dos poços quânticos a base de InGaAs/GaAs foram investigadas, em função da posição da impureza planarmente dopada com Silício.
Título em inglês
Study of incorporations of donor impurities in III-V semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy.
Palavras-chave em inglês
Doping
Growth of semiconductor
MBE
Semiconductors III-V
Resumo em inglês
III-V semiconductor samples were grown using the Molecular beam epitaxy technique, the electrical properties of the GaAs structures planar doped with silicon were investigated as well as the Silicon saturation and diffusion in these samles. The optcal and electrical properties of structures planar doped with Selenium were analyzed using the Capacitance Voltage and resonant Tunneling techniques. The electrical properties of InGaAs/ GaAs based quantum wells were investigated as a function of the planar doped with Silicon impurity position.
 
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Data de Publicação
2009-03-24
 
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