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Tesis Doctoral
DOI
10.11606/T.54.1993.tde-09032009-150110
Documento
Autor
Nombre completo
Airton Carlos Notari
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Carlos, 1993
Director
Tribunal
Basmaji, Pierre (Presidente)
Castro Neto, Jarbas Caiado de
Chitta, Valmir Antonio
Iikawa, Fernando
Motisuke, Paulo
Título en portugués
Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares.
Palabras clave en portugués
Crescimento de semicondutores
Dopagem
EFM
Semicondutores III-V
Resumen en portugués
Amostras de Semicondutores III-V foram crescidas usando a técnica de Epitaxia por feixes Moleculares. As propriedades elétricas das estruturas de GaAs com dopagem planar com Silício foram investigadas, e também a saturação e a difusão do Silício nestas amostras. As propriedades ópticas e elétricas das estruturas dopadas planarmente com Selênio foram analisadas, usando as técnicas de Capacitância-voltagem e a de Tunelamento resonante. As propriedades elétricas dos poços quânticos a base de InGaAs/GaAs foram investigadas, em função da posição da impureza planarmente dopada com Silício.
Título en inglés
Study of incorporations of donor impurities in III-V semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy.
Palabras clave en inglés
Doping
Growth of semiconductor
MBE
Semiconductors III-V
Resumen en inglés
III-V semiconductor samples were grown using the Molecular beam epitaxy technique, the electrical properties of the GaAs structures planar doped with silicon were investigated as well as the Silicon saturation and diffusion in these samles. The optcal and electrical properties of structures planar doped with Selenium were analyzed using the Capacitance Voltage and resonant Tunneling techniques. The electrical properties of InGaAs/ GaAs based quantum wells were investigated as a function of the planar doped with Silicon impurity position.
 
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Fecha de Publicación
2009-03-24
 
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