Com o objetivo de contribuir para o entendimento de recentes resultados experimentais relativos à transições óticas entre estados eletrônicos Localizados, observados em estruturas de múltiplos poços quânticos , realizamos um estudo teórico investigando os níveis de energias de um elétron ligado a uma impureza hidrogenóide num poço quântico simples. Utilizando a equação de massa efetiva calculamos através do método variacional as energias de um elétron Ligado a uma impureza doadora em um poço quântico de barreiras de potencial finitas . Neste cálculo a blindagem eletrônica do potencial da impureza é tratada no formalismo RPR, podendo tanto o elétron Ligado quanto os elétrons livres ocuparem as duas primeiras subbandas do sistema. Representamos nossos resultados para poços quânticos de GaAs-Ga_1-xAl_xAs variando a densidade eletrônica e a posição da impureza. Também a densidade de estados de impureza é calculada, uma vez que não restringimos a posição da impureza no poço. O efeito da não-parabolicidade da banda de condução do GaAs e a presença do campo magnético são levados em conta para melhor interpretação dos dados experimentais, que em geral estão em boa concordância com nossos resultados.

The mass-effective equation is used in order to calculate the intra and inter-subband transition energies in the Quantum Wett structures. The electronic screening of the shallow donor impurity is inclued in the RPR method and the energies are found through variational formalism. The binding energies are calcutated as function of the electronic density and impurity position inside the welt. We have calculated the density of states due to impurity position and also the non-parabolicity effect of the GaAs conduction band is analised. For better fitting between our results and the experimental data, we have inclued the magnetic field in the system. Our results seem in a good agreement to those experimentally obtained.