Encontrou-se que a relaxação dielétrica dos dipolos impureza-vacância em KI dopado com pequenas quantidades de KCl é extremamente diferente da relaxação dielétrica na matriz KI não contendo íons Cl^-. Os novos picos de relaxação, atribuídos à presença do Cl^- na vizinhança imediata do íon divalente, tem um tempo de relaxação 10³ vezes menor que o normal na temperatura ambiente. Foi proposto um modelo para o aprisionamento dos íons divalentes pelo Cl^- e estudado a influência dos raios atômicos do divalente e do anion estranho neste processo de aprisionamento.

The dielectric relaxation due to I-V dipoles in KI doped with small amounts of KCl was found to be strongly different than in KI crystals not containing Cl^-ions. The new relaxation peak attributed to the presence of the Cl^- in the close neighborhood of the divalent ion has a relax¬ation time 10³ greater than the normal one. A model for the trapping of the divalent ions by the Cl^- is proposed. The influence of atomic radius of the divalent and the impurity anion is discussed.