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Mémoire de Maîtrise
DOI
10.11606/D.54.1976.tde-14102009-101407
Document
Auteur
Nom complet
Sergio Carlos Zilio
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 1976
Directeur
Titre en portugais
Influência de centros de captura na relaxação dielétrica de cristais de Ki:M++.
Mots-clés en portugais
Corrente termo-estimulada
Defeitos
Halogenetos alcalinos
Relaxação dielétrica
Resumé en portugais
Encontrou-se que a relaxação dielétrica dos dipolos impureza-vacância em KI dopado com pequenas quantidades de KCl é extremamente diferente da relaxação dielétrica na matriz KI não contendo íons Cl‾.Os novos picos de relaxação, atribuídos à presença do Cl‾ na vizinhança imediata do íon divalente, tem um tempo de relaxação 103 vezes menor que o normal na temperatura ambiente.Foi proposto um modelo para o aprisionamento dos íons divalentes pelo Cl‾ e estudado a influência dos raios atômicos do divalente e do anion estranho neste processo de aprisionamento.
Titre en anglais
The influence of capture centers on the dielectric relaxation of Ki:M ++.
Mots-clés en anglais
Alkalihalides
Defects
Dielectric relaxation
Thermo-stimulated current
Resumé en anglais
The dielectric relaxation due to I-V dipoles in KI doped with small amounts of KCl was found to be strongly different than in KI crystals not containing Cl‾.The new relaxation peak attributed to the presence of the Cl‾ in the close neighborhood of the divalent ion has a relax¬ation time 103 greater than the normal one.A model for the trapping of the divalent ions by the Cl‾ is proposed. The influence of atomic radius of the divalent and the impurity anion is discussed.
 
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Date de Publication
2009-10-23
 
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