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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.54.1976.tde-14102009-101407
Documento
Autor
Nombre completo
Sergio Carlos Zilio
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Carlos, 1976
Director
Título en portugués
Influência de centros de captura na relaxação dielétrica de cristais de Ki:M++.
Palabras clave en portugués
Corrente termo-estimulada
Defeitos
Halogenetos alcalinos
Relaxação dielétrica
Resumen en portugués
Encontrou-se que a relaxação dielétrica dos dipolos impureza-vacância em KI dopado com pequenas quantidades de KCl é extremamente diferente da relaxação dielétrica na matriz KI não contendo íons Cl‾.Os novos picos de relaxação, atribuídos à presença do Cl‾ na vizinhança imediata do íon divalente, tem um tempo de relaxação 103 vezes menor que o normal na temperatura ambiente.Foi proposto um modelo para o aprisionamento dos íons divalentes pelo Cl‾ e estudado a influência dos raios atômicos do divalente e do anion estranho neste processo de aprisionamento.
Título en inglés
The influence of capture centers on the dielectric relaxation of Ki:M ++.
Palabras clave en inglés
Alkalihalides
Defects
Dielectric relaxation
Thermo-stimulated current
Resumen en inglés
The dielectric relaxation due to I-V dipoles in KI doped with small amounts of KCl was found to be strongly different than in KI crystals not containing Cl‾.The new relaxation peak attributed to the presence of the Cl‾ in the close neighborhood of the divalent ion has a relax¬ation time 103 greater than the normal one.A model for the trapping of the divalent ions by the Cl‾ is proposed. The influence of atomic radius of the divalent and the impurity anion is discussed.
 
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Fecha de Publicación
2009-10-23
 
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