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Mémoire de Maîtrise
DOI
10.11606/D.54.1990.tde-12022015-144437
Document
Auteur
Nom complet
Jean-jacques Georges Soares de Groote
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 1990
Directeur
Jury
Hornos, Jose Eduardo Martinho (Président)
Coelho, Helio Teixeira
Hipolito, Oscar
Titre en portugais
Excitons ligados a impurezas doadoras em semicondutores
Mots-clés en portugais
Não disponível
Resumé en portugais
O estudo de excitons livres é realizado de modo adequado por uma simples aproximação hidrogenóide, mas, quando estão ligados a imperfeições torna-se necessário uma aproximação matemática mais sofisticada. Neste trabalho, o sistema de três corpos éxciton-impureza é analisado pelo método das coordenadas hiperesféricas na aproximação adiabática, introduzindo este método em problemas de física do estado sólido. Entre os resultados obtidos estão valores precisos de energia de ligação para estados fundamentais e a predição de ressonâncias
Titre en anglais
Not available
Mots-clés en anglais
Not available
Resumé en anglais
The study of free excitons can be adequately performed through a simple hydrogenoide approximation, but, when they are linked to impurities a more sophisticated mathematical approach is required. In this work, the exciton-impurity three body systems is analyzed with the method of the hyperspheric coordinates in the adiabatic approach, introducing this method to solid state physical problems. Included in obtained results are precise values for the bonding energy for the ground state and the prediction of resonances
 
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Date de Publication
2015-02-13
 
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