Neste trabalho, analisamos as propriedades químicas, morfológicas e estruturais de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-'Si IND. 1-X' 'C IND. X':H), crescidos pelo método de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD), sob o efeito de pós-tratamentos térmicos. Todas as amostras foram depositadas no regime de "plasm" faminto" por silano, utilizando como gases reativos o silano e o metano. Filmes crescidos nessas condições apresentam estrutura de ordem local similar à de carbeto de silício cristalino. Foram analisadas e correlacionadas as propriedades de filmes com diferentes composições, depositadas sobre diferentes substratos. Nossos resultados não apenas são consistentes com dados da literatura, como também indicam que filmes estequiométricos são cristalizados a uma temperatura inferior às reportadas, com indícios de epitaxia do material sobre substrato de Si[100]. Os filmes não estequiométricos apresentam uma formação maisintensa de óxidos e não apresentam evidências de cristalização durante os processos de tratamento térmico.

In this work we have studied the chemical, morphological and structural properties of hydrogenated amorphous silicon carbide(a-'Si IND. 1-X''C IND. X':H) thin films, grown by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), under annealing. All samples were deposited under "starving plasma" regime, from silane and metane mixtures. FIlms deposited under these conditions present short range order similar to crystalline silicon carbide. The properties of films having different carbon content, deposited on different substrates, were analyzed and correlated. The results are not only in agreement with previous published data, but also indicate that stoichiometric films are crystallized under lower temperature than those previously reported, besides indications of epitaxial growth over single-crystalline Si [100] substrate. Non-stoichiometric films present higher concentration of oxides and no evidence of crystallization under annealing.