Dissertação de Mestrado
Documento
Dissertação de Mestrado
Autor
Zeidan, Ahmad Al
(
)
Nome completo
Ahmad Al Zeidan
E-mail
Unidade da USP
Instituto de Física
Programa ou Especialidade
Data de Defesa
2017-10-03
Imprenta
São Paulo, 2017
Orientador
Banca examinadora
Quivy, Alain Andre (Presidente)
Fonseca, Fernando Josepetti
Pires, Mauricio Pamplona
Título em português
Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada
Palavras-chave em português
Epitaxia por feixes moleculares., Fotodetectores, InAs, infravermelho, Pontos quânticos, Submonocamada
Resumo em português
Nesse trabalho, foi investigado um novo tipo de fotodetector de radiação infravermelha baseado em pontos quânticos de submonocamada de InAs obtidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE, Molecular Beam Epitaxy). Suas propriedades foram comparadas com as de fotodetectores de pontos quânticos de InAs convencionais obtidos pela mesma técnica de deposição, mas no modo de crescimento Stranski-Krastanov. Medidas de corrente de escuro, de ruído, de responsividade e de absorção mostraram que, dependendo da estrutura das amostras, os dispositivos com pontos quânticos de submonocamada podem ter um excelente desempenho.
Título em inglês
Infrared photodetectors based on submonolayer quantum dots.
Palavras-chave em inglês
InAs, Infrared, Molecular beam epitaxy, Photodetectors, Quantum dots, Submonolayer
Resumo em inglês
In this work, we investigated a new type of infrared photodetector based on InAs sub-monolayer quantum dots grown by molecular beam epitaxy (MBE). Their properties were compared with those of photodetectors containing conventional InAs quantum dots obtained by the same deposition technique, but in the Stranski-Krastanov growth mode. Dark current, noise, responsivity and absorption measurements have shown that, depending on the structure of the samples, the devices with sub-monolayer quantum dots can perform very well.
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Data de Publicação
2018-08-10
Trabalhos decorrentes
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