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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.43.2018.tde-10082018-145516
Documento
Autor
Nombre completo
Ahmad Al Zeidan
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 2017
Director
Tribunal
Quivy, Alain Andre (Presidente)
Fonseca, Fernando Josepetti
Pires, Mauricio Pamplona
Título en portugués
Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada
Palabras clave en portugués
Epitaxia por feixes moleculares.
Fotodetectores
InAs
infravermelho
Pontos quânticos
Submonocamada
Resumen en portugués
Nesse trabalho, foi investigado um novo tipo de fotodetector de radiação infravermelha baseado em pontos quânticos de submonocamada de InAs obtidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE, Molecular Beam Epitaxy). Suas propriedades foram comparadas com as de fotodetectores de pontos quânticos de InAs convencionais obtidos pela mesma técnica de deposição, mas no modo de crescimento Stranski-Krastanov. Medidas de corrente de escuro, de ruído, de responsividade e de absorção mostraram que, dependendo da estrutura das amostras, os dispositivos com pontos quânticos de submonocamada podem ter um excelente desempenho.
Título en inglés
Infrared photodetectors based on submonolayer quantum dots.
Palabras clave en inglés
InAs
Infrared
Molecular beam epitaxy
Photodetectors
Quantum dots
Submonolayer
Resumen en inglés
In this work, we investigated a new type of infrared photodetector based on InAs sub-monolayer quantum dots grown by molecular beam epitaxy (MBE). Their properties were compared with those of photodetectors containing conventional InAs quantum dots obtained by the same deposition technique, but in the Stranski-Krastanov growth mode. Dark current, noise, responsivity and absorption measurements have shown that, depending on the structure of the samples, the devices with sub-monolayer quantum dots can perform very well.
 
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DissertZeidan.pdf (2.86 Mbytes)
Fecha de Publicación
2018-08-10
 
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