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Tesis Doctoral
DOI
10.11606/T.43.2001.tde-09122013-103924
Documento
Autor
Nombre completo
Ademir Cavalheiro
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 2001
Director
Tribunal
Silva, Euzi Conceicao Fernandes da (Presidente)
Fantini, Marcia Carvalho de Abreu
Ferraz, Armando Corbani
Oliveira, José Bras Barreto de
Schulz, Peter Alexander Bleinroth
Título en portugués
O efeito da fotocondutividade e a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com dopagem planar do tipo "n" na barreira.
Palabras clave en portugués
Calculos autoconsistentes
Dopagem planar
Fotocondutividade
Mobilidades quânticas
Resumen en portugués
Neste trabalho, a estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/In IND.0.15 Ga IND.0.85As/GaAs com dopagem planar de silício na barreira superior foi investigada utilizando-se medidas de Shubnikov-de Haas em função do tempo de iluminação, observou-se que uma quantidade significativa de elétrons estava faltando na região ativa (formada pela camada de InGaAs e pela região delta-dopada) de todas as estruturas analisadas. Um efeito fotocondutivo persistente (que persiste pelo menos 27 horas depois que a excitação óptica é desligada) foi observado em todas as amostras. Durante o processo de iluminação, portadores são liberados pela iluminação e fortes modificações nas mobilidades quânticas das sub-bandas foram observadas. Uma analise fenomenológica dos dados é apresentada, baseada em cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica dos sistemas analisados.
Título en inglés
The effect of photoconductivity and electronic structure of quantum wells of GaAs / InGaAs / GaAs doped planar type "n" in the barrier.
Palabras clave en inglés
Autoconsistent calculation
Photoconductivity
Planar doping
Quantum mobilities
Resumen en inglés
In this work, the sub-band electronic structure of de GaAs/In IND.0.15 Ga IND.0.85As/GaAs quantum wells with a Si delta-doped layer in the top barrier was investigated by Shubnikov-de Haas measurements as a function of the illumination time of the samples. Before the exposure of the heterostructure to any illumination time, we observed that a significant quantity of electrons was missing in the active region (consisting of the quantum well formed by the InGaAs layer and the Si delta-doped region) of all the analyzed structures. A persistent photoconductivity effect (which persisted at least for 27 hours after the optical excitation was turned off) was observed in all samples. During the illumination process, carriers are released by illumination and strong modifications on the quantum mobilities of the sub-bands were observed. A phenomenological analysis of the data is presented based on the self-consistent calculations of the electronic structure of the analyzed systems.
 
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RE34205Cavalheiro.pdf (17.60 Mbytes)
Fecha de Publicación
2014-02-18
 
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