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Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.43.2004.tde-07072004-104036
Documento
Autor
Nombre completo
Ivan Ramos Pagnossin
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 2004
Director
Tribunal
Silva, Euzi Conceicao Fernandes da (Presidente)
Assali, Lucy Vitoria Credidio
Carreno, Marcelo Nelson Paez
Título en portugués
"Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs"
Palabras clave en portugués
Fotodetectores
Fotoluminescência
Hall
Pontos-quânticos
Shubnikov-de Haas
Resumen en portugués
Neste trabalho, realizamos medidas sistemáticas dos efeitos Hall e Shubnikov-de Haas em função do tempo de iluminação das amostras a fim de investigar as propriedades de transporte elétrico de um gás bidimensional de elétrons (2DEG) confinado num poço-quântico de GaAs/InGaAs próximo a pontos-quânticos de InAs introduzidos na barreira superior do poço-quântico (GaAs). Nós não observamos qualquer degradação expressiva da mobilidade eletrônica devido a inserção deles na heteroestrutura. Contudo, observamos diferentes variações das mobilidades quânticas de amostra para amostra, as quais atribuimos ao acúmulo da tensão mecânica na camada de InAs. O comportamento das mobilidades quânticas e de transporte são discutidas no contexto da modulação local dos perfís das bandas de condução e de valência pela camada de InAs.
Título en inglés
Electric transport properties of two-dimensional electron gases near to InAs quantum dots.
Palabras clave en inglés
Fotodetectors
Hall
Photoluminescence
Quantum dots
Shubnikov-de Haas
Resumen en inglés
In this work, systematic Shubnikov-de Haas and Hall measurements as a function of the sample illumination time were used to investigate the transport properties of a two-dimensional electron gas (2DEG) confined in GaAs/InGaAs quantum wells and close to InAs quantum-dots placed in the GaAs top barrier. We did not observe any expressive degradation of the electronic mobility due to the insertion of them in the heterostructure. However, we observed a different change of the quantum mobility of the occupied subbands from sample to sample, which was attributed to the accumulation of mechanical strain in the InAs layer. The behavior of the quantum and transport mobilities are discussed in the context of the local modulation of the band edges by the InAs layer.
 
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IvanMS.pdf (3.29 Mbytes)
Fecha de Publicación
2004-07-13
 
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