Neste trabalho estudamos as propriedades óticas de amostras de nitreto de gálio cúbico (GaN) crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE). Para isso fazemos uso da ténica de fotoluminescência (PL), assim como também da técnica de efeito Hall para determinar o tipo de condutividade e densidade de portadores presentes no conjunto de amostras estudadas. Numa primeira parte deste trabalho, estudamos amostras de GaN não intencionalmente dopadas através dos processos de recombinação observados nos espectros de PL, quando aplicadas diferentes potênciais de excitação, assim como ao variar a temperatura das amostras. Determinados as energias de ativação da transição associada ao éxciton (livre ou ligado), do doador neutro D 'GRAUS' e do aceitador neutro A 'GRAUS' associado à transição doador aceitador D 'GRAUS'-A 'GRAUS' e do aceitador A1 associado à transição e-A1. Na segunda parte, estudamos a influência da incorporação dos dopantes Mg e Si no GaN através das transições presentes nos espectros de PL ao variar a potência do laser de excitação e a temperatura da amostra. As amostras de GaN dopadas com Mg, como é de esperar, apresentam uma condutividade tipo-p. Já as amostras de GaN dopadas com Si apresentam dois tipos de condutividade, tipo-p e tipo-n. Acreditamos que este tipo de comportamento seja devido ao nível de dopagem não ter sido suficientemente alto para superar a concentração intrínseca tipo-p de algumas das amostras de GaN. Da mesma forma, nas amostras não intencionalmente dopadas determinamos as energias de ativação da transição associada ao éxciton (livre ou ligado), do doador neutro D'GRAUS' e do aceitador A'GRAUS' associados à transição doador-aceitador D'GRAUS'-A'GRAUS' e do A1 associado à transição e-A1

Photoluminescence of intrinsic and doped cubic GaN epitaxial films