O estudo do comportamento dos mais variados materiais sob pressão, tem sido objeto de intensa pesquisa nas últimas décadas. O 'SI' e o 'GE', por serem úteis na construção de dispositivos eletrônicos, estão entre os mais estudados. É conhecido da literatura que o 'SI' e o 'GE', sob pressão, apresentam diagramas de fases semelhantes, embora para as fases métalicas, as pressões de transição de fase do 'SI' e do 'GE' são bem diferentes. Essas semelhanças, e ao mesmo tempo diferenças entre o 'SI' e o 'GE', motivam o estudo da liga 'SI IND. 1-X' 'GE IND. X' sob pressão. A liga 'SI"GE' também tem despertado interesse principalmente devido a sua aplicação em dispositivos óticos e eletrônicos. O objetivo deste trabalho é mostrar como a pressão de transição de fase se comporta em função de X, onde x é a concentração de Ge na liga. Para determinar as pressões de transição, perfizemos cálculos ab initio de energia total com o método de pseudopotenciais baseados na Teoria do Funcional da Densidade (DFT), com a aproximação da densidade local (LDA) utilizando o funcional de Ceperley-Alder para a energia de troca-correlação. Neste trabalho utilizamos uma célula unitária de 16 átomos e o método "Special Quasirandom Structures" (SQS) desenvolvido por Wei et al. [?] para simular a distribuição dos átomos na liga. Tais cálculos foram feitos para diferentes volumes das células unitárias das duas fases e através da construção de Gibbs (ou método da tangente comum) obtivemos as pressões de transição. Em particular, este procedimento foi aplicado para o estudo da transição de fase entre as estruturas Diamante e 'beta'-Sn para X = 0,0625, 0,50, 0,9375, 1,0

Theoretical study of the phase transition between diamond and 'beta'-'SN' structures for the 'SI IND alloy. 1-X' 'GE IND. X'