Os filmes finos de nitreto de silício ('SI'N IND. X':H) foram preparados, em um sistema de deposição química de vapor assistida por plasma acoplado indutivamente, sobre subtratos de 'SI' (100) mantidos em '350 GRAUS' C e à pressão de deposição entre 8,0 - 9,3 Pa, a partir de duas misturas de gases de 'SI'H IND. 4' com N'H IND. 3' ou 'N IND. 2' como a fonte de nitrogênio. Os parâmetros de depoisição foram a razão da mistura de N'H IND. 3'/'SI'H IND. 4' ou 'N IND. 2'/'SI'H IND. 4' de 1,4, 4,3, 7,2, 9,5 e a potência de RF de 25, 50, 75, 100 W. Dois valores da potências de RF de 25 e 50 W usados para preparar os filmes com a razão da mistura de 'N IND. 2' no plasma. Os filmes produzidos com a razão da mistura de N'H IND. 3'/'SI'H IND. 4' foram considerados insuficientes para decompor completamente as moléculas de 'N IND. 2' no plasma. Os filmes produzidos com a razão da mistura de N'H IND. 3'/'SI'H IND. 4' contêm o hidrogênio em formas de 'SI'-H e N-H de cerca de 20 at.% e aqueles preparados com a razão da mistura de 'N IND. 2'/'SI'H IND. 4', de 15 at.%. As variações da taxa de deposição em função da razão da mistura gasosa ou da potência de RF podem ser explicadas com a variação nas quantidades relativas dos radicais químicos no plasma e/ou com o efeito de sputtering de camadas contaminadas com H. A espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS), e a espectroscopia de infravermelho de transformada de Fourier (FTIR) foram usadas, respectivamente, para estudar os estados de ligação química de 'SI', N e O, e a composição de cada filme, e para avaliar os estados de vibrações moleculares nos filmes. As análises de XPS indicaram a presença de três estados de ligação de 'Si'-'Si' e/ou 'Si'-H, 'Si'-N e 'Si'-O nos espectros de 'Si' 2p e dois estados de 'Si'-N e N-X (X=H, O) nos espectros de N 1s; 'Si'-N foi a ligação predominante em todos os filmes. Esses estados de ligação estiveram correlacionados ) com as bandas correspondentes observados nos espectros de STIR. A variação do índice de refração em função da razão da mistura gasosa pode estar relacionada com a razão composiocional de [N]/['SI'] e as concentrações de 'H' e de O. A dureza dos filmes preparados foi equivalentes a um valor relatado de 20 GPa

Formation and characterization of silicon nitride films by inductively coupled plasma-assisted chemical deposition