• JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
  • JoomlaWorks Simple Image Rotator
 
  Bookmark and Share
 
 
Disertación de Maestría
DOI
10.11606/D.43.1997.tde-07032002-142147
Documento
Autor
Nombre completo
Rogério Junqueira Prado
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 1997
Director
Tribunal
Fantini, Marcia Carvalho de Abreu (Presidente)
Craievich, Aldo Felix
Tessler, Leandro Russovski
Título en portugués
Propriedades químicas e morfológicas de filmes hidrogenados de carbeto de silício amorfo.
Palabras clave en portugués
carbeto de silicio
PECVD
raios X
saxs
Resumen en portugués
Nesta dissertação discorremos acerca do crescimento e caracterização de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H), crescidos pelo método de deposição química de vapor assistida por plasma (PECVD) no regime de baixa densidade de potência a partir de misturas de silano e metano. Foram analisadas e correlacionadas as propriedades ópticas, morfológicas e composicionais de filmes depositados em diferentes condições de fluxo de silano e concentração de metano. Os resultados não apenas confirmaram dados anteriores obtidos em filmes de a-Si1-xCx:H similares, mas possibilitaram uma melhor compreensão das características deste material. Para a obtenção de um composto de alto gap, alto conteúdo de carbono, química e morfologicamente homogêneo é necessário utilizar baixos fluxos de silano e alta concentração de metano, condições de deposição conhecidas como regime de "plasma faminto por silano". Neste regime são crescidos filmes com Eg > 3 eV, x > 0,5, maior concentração de ligações Si-C, concentração de hidrogênio de 50 at.%, menor proporção de radicais CH3 e menor densidade de poros.
Título en inglés
Chemical and morphological properties of amorphous hydrogenated.
Palabras clave en inglés
silicon carbide
X-rays
Resumen en inglés
In this work we describe the growth and characterization of hydrogenated amorphous silicon carbide (a-Si1-xCx:H) thin films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) in the low power density regime from mixtures of silane and methane. The optical, morphological and compositional properties of films deposited under different silane flow and methane concentration were analyzed and correlated. The results not only confirmed previous data obtained on similar a-Si1-xCx:H films, but improved the comprehension of their characteristics. In order to obtain a compound with high optical gap, high carbon content, chemically and morphologically homogeneous, it is necessary to work with low silane flow and high methane concentration; deposition conditions known as "silane starving plasma" regime. In this regime, films with Eg > 3 eV, x > 0.5, higher concentration of Si-C bonds, hydrogen concentration of 50 at.%, smaller proportion of CH3 radicals and smaller density of pores are produced.
 
ADVERTENCIA - La consulta de este documento queda condicionada a la aceptación de las siguientes condiciones de uso:
Este documento es únicamente para usos privados enmarcados en actividades de investigación y docencia. No se autoriza su reproducción con finalidades de lucro. Esta reserva de derechos afecta tanto los datos del documento como a sus contenidos. En la utilización o cita de partes del documento es obligado indicar el nombre de la persona autora.
Dissertacao.pdf (950.08 Kbytes)
Fecha de Publicación
2002-06-18
 
ADVERTENCIA: El material descrito abajo se refiere a los trabajos derivados de esta tesis o disertación. El contenido de estos documentos es responsabilidad del autor de la tesis o disertación.
  • PRADO, R. J., et al. Distribution of Pores in a-Si1−xCx:H Thin Films [doi:10.1107/s0021889897001349]. Journal of Applied Crystallography [online], 1997, vol. 30, p. 659-663.
  • PRADO, R. J., et al. Distribution of Pores in a-Si1-xCxH Thin Films [doi:10.1107/S0021889897001349]. Journal of Applied Crystallography [online], 1997, vol. 30, n. 5, p. 659-663.
  • PEREYRA, I., et al. The carbon incorporation in PECVD a-Si1-xCx:H in the low power density regime. In 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, Águas de Lindóia, 1997. Brazilian Journal of Physics., 1997.
Todos los derechos de la tesis/disertación pertenecen a los autores
Centro de Informática de São Carlos
Biblioteca Digital de Tesis y Disertaciones de la USP. Copyright © 2001-2021. Todos los derechos reservados.