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Tesis Doctoral
DOI
10.11606/T.43.1991.tde-06082013-103439
Documento
Autor
Nombre completo
Wagner Wilson Furtado
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 1991
Director
Tribunal
Stojanoff, Vivian (Presidente)
Andrade, Adnei Melges de
Blak, Ana Regina
Cusatis, Cesar
Fantini, Marcia Carvalho de Abreu
Título en portugués
Efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski
Palabras clave en portugués
Carbono
Espalhamento difuso.
Oxigênio
Silício-Cz
Resumen en portugués
Neste trabalho é estudado o efeito do carbono na formação de defeitos em silício Czochralski crescido na direção <100> em amostras submetidas a tratamentos térmicos variados. Medidas de espalhamento difuso de raios-X, espectroscopia de infravermelho, medidas de resistividade, topografia de raios-X e microscopia eletrônica de transmissão mostraram que os defeitos nas amostras "como crescidas" podem ser relacionados com os microdefeitos tipo B. Tratamento térmico a 450ºC mostrou a presença de vacâncias nas amostras com baixa concentração de carbono enquanto que nas amostras com alta concentração de carbono ocorre a inibição da formação dos doadores térmicos ("Thermal Donors - TD"). Os resultados confirmam os modelos de Newman e Mathiot para a geração dos TD. Para tratamento térmico a 650ºC o carbono promove a formação de Novos Doadores ("New Donors - ND"). Os resultados mostram que estes defeitos são de natureza predominante de vacância e concordam com os modelos de geração que envolvem átomos de oxigênio substitucional. Os doadores observados a 550ºC puderam ser relacionados aos Novos Doadores Térmicos ("New Thermal Donors - NTD") observados por Kamiura et al..
Título en inglés
Effect of carbon in the formation of defects in Czochralski silicon.
Palabras clave en inglés
Carbon
Cz-Silicon
diffuse scattering.
Oxygen
Resumen en inglés
Effect of carbon concentration upon defect formation in oxygen rich Czochralski grown <100> silicon has been investigated by combining various furnace thermal anneals. Diffuse X-ray scattering, infrared spectroscopy, resistivity, x-ray topography, and transmission electron microscopy have shown that defects in as-grown samples could be related to the B swirls. 450ºC anneals have shown the presence of vacancies in low carbon samples while high carbon concentration inhibited Thermal Donor (TD) formation. Our results confirm models by Newman and Mathiot for thermal donors generation. For 650ºC anneals carbon promotes New Donors (ND) formation. Our results show that these defects are mainly vacancy in nature and agrees with the substitutional oxygen models proposed for these donors. Donor formation was observed at 550ºC which could be related to New Thermal Donors (NTD) proposed by Kamiura et al..
 
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45731FURTADO.pdf (9.08 Mbytes)
Fecha de Publicación
2013-08-06
 
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