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Tesis Doctoral
DOI
10.11606/T.43.2017.tde-06062017-150805
Documento
Autor
Nombre completo
Ecio Jose Franca
Dirección Electrónica
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Paulo, 1996
Director
Tribunal
Chacham, Hélio
Emmel, Paulo Daniel
Fazzio, Adalberto
Leite, Jose Roberto
Meneses, Eliermes Arraes
Título en portugués
ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
Palabras clave en portugués
Circuitos eletrônicos
Estrutura eletrônica
Resumen en portugués
Apresentamos aqui resultados de propriedades eletrônicas relacionadas à defeitos complexos em GaAs. Os cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica foram feitos usando o método do espalhamento múltiplo X a junto com o modelo do aglomerado molecular e com os orbitais de superfície saturados com a esfera de Watson.
Título en inglés
Electron structure of boron-isolated impurities and pairs of boron-silicon and transition metal impurities - vacancy in 'GA'AS'
Palabras clave en inglés
Electron circuits
Electron structure
Resumen en inglés
We repor! resu/ts for e/ectronic properties related to complex defects in GaAs. The self-consistent-fie/d electronic structure ca/culations were performed by using the multiplescattering X a method within framework of Watson-sphere-terminated molecular cluster model. We have simulated, first, the electronic states of the 26-atom clusters: 26Td/1As (tetrahedral interstitial As centered cluster), 26Td/1Ga (tetrahedral interslitial Ga cenlered clusle!) and 26C3v (trigonal cluster centered in the middle of a Ga-As bond).
 
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1996Franca.pdf (43.23 Mbytes)
Fecha de Publicación
2017-06-06
 
ADVERTENCIA: El material descrito abajo se refiere a los trabajos derivados de esta tesis o disertación. El contenido de estos documentos es responsabilidad del autor de la tesis o disertación.
  • França, Ecio J., and Assali, L V C. Chemical Trends in Electronic Properties of Arsenic Vacancy-3d Transition Metal Pairs in Gallium Arsenide [doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.258-263.893]. Materials Science Forum [online], 1997, vol. 258-263, p. 893-898.
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