A luminescência amarela (Yl, yellow luminescence) do GaN é uma banda larga de luminescência centrada em torno de 2,3 - 2,4 e V. Ela parece ter um comportamento universal como por exemplo ter sido observada em cristais de GaN tipo bulk tão bem como em camadas epitaxiais crescidas por diferentes técnicas como epitaxia por feixe molecular (MBE, molecular beam epitaxy), deposição de vapor químico de metais-orgânicos e epitaxia de fase vapor. Apesar de ser intensamente citada na literatura, a origem da YL ainda está sendo debatida. Até mesmo a posição dos níveis microscópia é igualmente incerta. Nesse trabalho investigamos a YL em GaN cúbico usando as técnicas de fotoluminescência e reflexão. A amostra foi crescida pela técnica de MBE. Nós observamos que o espectro de luminescência da camada epitaxial de GaN mostra uma forte modulação na intensidade da luminescência amarela. A modulação é atribuída à cavidade do tipo Fabry-Pérot formada pelas interfaces semicondutor-ar e semicondutor-substrato. Um modelo teórico baseado no efeito de interferência óptica do tipo Fabry-Pérot é desenvolvido para determinar a função de distribuição de defeitos na nossa amostra. Análise dos dados experimentais em termos do modelo revela que a função de distribuição dos defeitos que causam a Yl é homogênea através do epifilme. A detecção da Yl com energia de excitação menor que energia da faixa proibida suporta o modelo de recombinação envolvendo um par doador-aceitador

Yellow luminescence in cubic gallium nitride