O objetivo deste trabalho é contribuir com o desenvolvimento de uma tecnologia para o silício poroso que permita sua utilização na fabricação de sensores químicos e dispositivos optoeletrônicos. Apresenta-se uma revisão do estado da arte do modelamento e tecnologia do silício poroso, discutindo o carater polêmico de seus resultados. É apresentado um processo experimental para a obtenção de camadas de silício poroso e sua caracterização estrutural. Propondo-se um modelo analítico para determinar a estrutura da camada de silício poroso, utilizando os resultados da caracterização por espectroscopia infra-vermelho. Foram fabricados dispositivos utilizando camadas de silício poroso e testadas sob diferentes condições de temperatura e umidade. Analizando o comportamento elétrico destes dispositivos é proposto um modelo para o transporte de portadores de carga elétrica pela camada de silício poroso.

The objective of this work is to contribute to porous silicone technology and to promote chemical sensor and optoelectronic devices fabrication with the results obtained. The results and model related to porous silicon structure published in the literature are reviewed. The experimental process develop with the Laboratório de Microeletrônica technology is presented. And analytical model is proposed to determine morphological parameter of the porous silicon layer by means of results obtained with the Fourier Transform Infra Red characterization techniques. The devices fabricated with this technology were tested in several temperature and relative humidity conditions to identify the ambiental influence. The results obtained in this electrical characterization were used to propose a model to explain the electric charge transport in the porous silicon layer.