Neste trabalho apresentamos um estudo sobre a otimização das propriedades físicas, mecânicas e elétricas de películas de dióxido de silício (Si´O IND.2´) e oxinitreto de silício (Si´O IND.x´´N IND.y´) depositadas pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD). O objetivo principal é a obtenção, em baixas temperaturas, de materiais com propriedades adequadas para sua utilização em optoeletrônica, sistemas micro eletromecânicos (MEMS) e na fabricação de dispositivos Metal-Óxido-Semicondutor (MOS). Para os dispositivos MOS, fabricados utilizando como dielétrico filmes de Si´O IND.2´ desenvolvidos anteriormente, e que mostraram excelentes propriedades estruturais e composicionais, foi realizado um estudo visando diminuir a carga efetiva no volume do isolante e na interface isolante/semicondutor. Para o desenvolvimento de MEMS, foram pesquisadas as condições ideais que permitam obter filmes espessos, acima de 1 ´MICROMETRO´, com uma alta resistência à corrosão em KOH e com mínimas tensões mecânicas internas. Assim, a viabilidade de utilizar este material em MEMS foi demonstrada pela fabricação de membranas auto-sustentadas de até 0,8 ´cm POT.2´. Finalmente, visando sua utilização em optoeletrônica, desenvolvemos um estudo das condições de deposição que permitam um controle acurado do índice de refração pois este é o parâmetro fundamental na fabricação de guias de onda. Determinadas estas condições, foram fabricados alguns guiasde onda (do tipo ARROW-B) com baixas atenuações

In this work we present a study on the optimization of the physical, mechanical and electrical properties of silicon dioxide (Si´O IND.2´) and silicon oxynitride (Si´O IND.x´´N IND.y´) films deposited by the plasma enhanced chemical vapor deposition technique (PECVD). The main goal is obtain, at low temperatures, materials with adequate properties for application on Metal-Oxide-Semiconductor devices, optoelectronics and micro-electro-mechanical systems (MEMS). For the MOS devices fabricated utilizing the Si´O IND.2´ films developed previously, which have shown excellent structural and compositional properties, a study in order to decrease the effective charge in the bulk of the gate dielectric as well as at the insulator/semiconductor interface was performed. For developing of MEMS, a study was accomplished to optimize deposition conditions for the growth of thick films, above 1 ´MICROMETER´, with high resistance to KOH etch and with minimal mechanical stress. The feasibility of application of the developed material was demonstrated by the fabrication of self-sustained membranes up to 0.8´cm POT.2´ in area. Finally for applications in optoelectronics, a study in order to obtain an accurate control of the refractive index, fundamental for waveguide fabrication was performed. With the established set of optimized deposition parameters low attenuation ARROW-B waveguides were fabricated and characterized.