Este projeto consiste na fabricação e caracterização de filmes poliméricos, como isolantes de porta, em transistores de filmes finos orgânicos (do inglês Organic Thin Film Transistor, OTFTs), com estrutura bottom-gate/bottom-contact. Foram utilizados vários materiais dielétricos orgânicos sem reticulação, poli(4-vinilfenol) (PVP), polimetilmetacrilato (PMMA) ou na forma de blenda com o agente reticulante poly(melamine-co-formaldehyde) methylated (PMF), com o intuito de aumentar a resistência química do filme contra a degradação por oxigênio e a corrosão por solvente orgânico. Foi necessário investigar o efeito da espessura e da reticulação nas propriedades do filme dielétrico para obter um dispositivo com parâmetros elétricos semelhantes aos encontrados na literatura, tais como: constante dielétrica (k), densidade de capacitância, densidade de corrente de fuga, tensão de limiar (VT), inclinação da região de sublimiar (SS), mobilidade dos portadores (?p) e relação entre as correntes ION/OFF. Foi feita a caracterização elétrica dos transistores fabricados, assim como análises morfológicas por espectroscopia Raman, FTIR e rugosidade. Com a finalidade de conhecer se o filme dielétrico de PVP ou PMMA suporta os processos de fabricação, foi analisado, tanto por AFM quanto por perfilometria, o que ocorre na espessura dos filmes obtidos após a corrosão por plasma e a deposição por centrifugação (do inglês spin coating) de diferentes solventes orgânicos sobre o filme dielétrico.

This project consists of the manufacture and characterization of polymer films, such as gate insulators, in organic thin film transistors (Organic Thin Film Transistor, OTFTs), with bottom-Gate/bottom-contact structure. Various organic dielectric materials, such as poly (4-vinylphenol) (PVP), polymethyl methacrylate (PMMA) were used as both, pure or in blends with the cross-linking agent: Poly(melamine-co-formaldehyde) methylated (PMF), in order to increase the chemical resistance of the film against oxygen degradation and corrosion by organic solvent. It was necessary to investigate the effect of thickness and crosslinking on the properties of the dielectric film to obtain a device with electrical parameters similar to those found in the literature, being dielectric constant (k), capacitance density, leakage current density, threshold voltage (VT), subthreshold slope (SS), carrier mobility (?p) and ION/OFF currents ratio. Electrical characterization of the manufactured transistors was carried out, as well as morphological analyses by Raman and FTIR spectroscopy, and roughness. In order to know whether the PVP or PMMA dielectric film withstands the manufacturing processes, it was necessary to analyze, both by AFM and profilometry, what happens to the thickness of the films obtained after plasma corrosion and the deposition (via spin coating) of different organic solvents on the dielectric film.