A formação de disiliceto de titânio 'TI''SI IND.2' pela reação de filmes finos de titânio com silício policristalino e silício amorfo, visando a aplicação em portas e interconexões de dispositivos MOS. O substrato de silício policristalino afeta tanto a cinética de formação da fase 'TI''SI IND.2'- c 49, como a temperatura de transição de 'TI''SI IND.2'- c 49 para 'TI''SI IND.2'- c 54. A temperatura desta transição de fase também é influenciada pela presença do fósforo no substrato de silício policristalino. Devido a alta reatividade química entre o titânio e o oxigênio presente no ambiente, investigou-se o uso de uma capa de proteção de silício amorfo, depositada sobre o filme de titânio. Os filmes de siliceto obtidos desta maneira, resultaram mais espessos, e mostram uma temperatura de transição de C49 para C54 menor do que a verificada para silicetos formados sem a capa. Para a reação de filmes finos de titânio com silício amorfo, investigou-se a influência da razão entre as espessuras dos filmes depositados. Para estruturas com 70 ou 80nm de silício amorfo depositado sobre 40 nm de titânio, verificou-se que após tratamento com baixa temperatura ocorre a formação de 'TI''SI IND.2'- c 49 e 'TI IND.5''SI IND.3'. Para estruturas com 90 nm de silício amorfo sobre 40 nm de titânio, verificou-se também a presença de 'TI''SI IND.2'- C54 e o aparecimento de bolhas e precipitados.

In this work we studied the formation of titanium disilicide (TiSi2) by reacting thin titanium films with both polycrystalline silicone and amorphous silicone, aiming at the application in gates and interconnections of MOS devices. We observed that the polycrystalline substrate affects both the kinetics of formation of the phase TiSi2-C49 and the temperature of transition from TiSi2-C49 to TiSi2-C54. The temperature of this phase transition i salso influenced by the presence of phosphorous in the polycrystalline silicone substrate. Due to the high chemical reactivity between titanium and oxygen present in the ambient, we also investigated the use of a protective capo f amorphous silicone deposited on the titanium film. The silicide films obtained in this manner showed lower transition temperature from C49 to C54 and resulted thicker than those obtained when the cap is not used. In the case of the reaction with amorphous silicone, we investigated the influence of the bilayer silicone to titanium thickness ratio on the film properties. For structures with 70 or 80 nm of amorphous silicone deposited on 40 nm of titanium, after low temperature treatments occurs the formation of TiSi2-C49 and Ti5Si3. For structures with 90 nm of amorphous silicone deposited on 40 nm of titanium the formation of TiSi2-C54 is also observed, as well the formation of blisters and precipitates.