Neste trabalho é apresentado o desenvolvimento de um processo de litografia de três camadas, para ser utilizado nos processos de corrosão por plasma dos materiais usados em microeletrônica. Ao mesmo tempo é apresentado um estudo sobre as influências dos parâmetros do plasma nas taxas de corrosão, perfis e uniformidade de corrosão para os resistes utilizados (AZ 1350J e SELEXTILUX P100). É também apresentado um estudo sobre as etapas necessárias para a obtenção das camadas que compõem uma estrutura de três camadas. Os padrões obtidos na litografia de três camadas foram usados para a corrosão por plasma de um filme de 300 nm de espessura de alumínio em plasma de 'CL IND.4' + N IND.2' e de silício do substrato em plasma de 'SF IND.6' + 'O IND.2'. Os perfis obtidos para esses dois materiais foram bastante verticais, apresentando maior resistência ao plasma e mostrando a aplicabilidade desse método litográfico.

In this work we present the development of a triple layer resist process, which is used in integrated circuits processing. The process steps to obtain the three layer are studed. The influences of the process parameters on the etch rate, uniformity and wall profile are determined for two resists AZ 1350J and Selextilux P100. The resulting resist pattern was used to mask a 300 nm thick aluminium film in a CCl and N plasma and silicon in SF and O plasma. The obtained wall profiles in the aluminium and silicon are fair by vertical, what proves the good resistance of this kind of structure agairst these aggressive plasmas.