A área de eletrônica é hoje imprescindível a todos os setores da sociedade contemporânea. A Eletrônica Orgânica abriu um novo segmento tecnológico que tem um potencial extraordinário. Isso porque, uma vez que o processamento nessa área é por deposição de filmes finos a partir da solução de moléculas eletrônicas, as soluções são usadas como tintas e assim impressas por diferentes técnicas: rotogravura, flexografia, silk-screen, impressão por jato de tinta, etc. Também importante ressaltar que esta tecnologia permite uma produção, comparada a eletrônica inorgânica, com dispositivos mais baratos, com flexibilidade mecânica e baixo custo ecológico. Esta dissertação aborda o domínio da técnica de jato de tinta para a confecção de transistores orgânicos (OFETs) tipo p e tipo n em mesmo substrato como tecnologia preliminar na aplicação em um inversor lógico unipolar. Permitindo assim o aprimoramento do uso de OFETs em portas lógicas e na computação. Foi utilizada a arquitetura Botton Gate/Top Contact para a produção de p- e n-OFETs com deposição da camada semicondutora por técnica de impressão por jato de tinta. Para o p-OFET foi utilizado como material semicondutor o 6,13-(triisopropilsililetinil)pentaceno (TIPS pentaceno). O melhor p-OFET produzido neste trabalho obteve mobilidade da ordem 10^-2 (cm² ∗ (V ∗ s)^-1) razão On/Off da ordem 10⁵. Para o p-OFET foi utilizado como material semicondutor o Poli{[N,N’-bis(2-octildodecil)-naftaleno-1,4,5,8-bis(dicarboximida)-2,6-diil]- alt-5,5’-(2,2’-bitiofeno)]} (P(NDI2OD-T2)), nome comercial N2200. O melhor n-OFET produzido neste trabalho obteve mobilidade da ordem 10^-3 (cm ² (V ∗ s)^-1) e razão On/Off da ordem 10⁴. Como resultados do trabalho foram produzidos dispositivos p- e n-OFET funcionais em mesmo substratos com porta comum.

The area of electronics is now essential to all sectors of contemporary society. Organic Electronics has opened a new technological segment that has extraordinary potential. This is because, since the processing in this area is by deposition of thin films from the solution of electronic molecules, the solutions are used as inks and thus printed by different techniques: rotogravure, flexography, silk-screen, inkjet printing, etc. It is also important to highlight that this technology allows a production, compared to inorganic electronics, with cheaper devices, with mechanical flexibility and low ecological cost. This dissertation addresses the field of the inkjet technique for the construction of organic type transistors (OFETs) type p and type n on the same substrate as the preliminary technology in the application in a unipolar logic inverter. This allows the improvement of the use of OFETs in logic gates and in computing. The Botton Gate/Top Contact architecture was used for the production of p- and n-OFETs with deposition of the semiconductor layer by inkjet printing technique. For p-OFET, 6,13-(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS pentacene) was used as the semiconductor material. The best p-OFET produced in this work obtained mobility of the order 10^-2 (cm² ∗ (V ∗ s)^-1) and the On/Off ratio of order 10⁵. For p-OFET poly ({N,N’-bis(2-octyldodecyl) naphthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-2,6-diyl] -alt-5,5’-(2,2’-bithiophene)] (P(NDI2OD-T2)), commercial known as N2200. The best n-OFET produced in this work obtained mobility of order 10^-3 (cm² ∗ (V ∗ s)^-1) and On/Off ratio of order 10⁴. As result of the work, functional p- and n-OFET devices were produced on the same substrates with common gate.