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Tese de Doutorado
DOI
10.11606/T.88.1998.tde-19082015-112652
Documento
Autor
Nome completo
José Eduardo Manzoli
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Carlos, 1998
Orientador
Banca examinadora
Hipolito, Oscar (Presidente)
Cerdeira, Fernando
Chitta, Valmir Antonio
Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Romero, Murilo Araujo
Título em português
Efeito de campo em heteroestruturas semicondutoras de dispositivos eletrônicos quânticos
Palavras-chave em português
Capacitância
Estrutura eletrônica
FET
HEMT
Simulação
Resumo em português
Os efeitos do campo elétrico, que surgem pela aplicação de uma voltagem no contato Schottky, na estrutura eletrônica de heteroestruturas semicondutoras utilizadas nos recentes transistores de efeito de campo (FET) e numa super-rede finita são simulados numericamente. Estas heteroestruturas apresentam poços quânticos bidimensionais e camadas que podem estar tensionadas pela diferença entre os parâmetros de rede cristalinos. Através de um procedimento numérico auto-consistente várias grandezas físicas são estudadas, os auto-estados e as densidades eletrônicas nas sub-bandas são calculadas. A variação destas grandezas é associada à capacitância e à transcondutância intrínseca, em função da voltagem no gate. Os resultados da simulação são comparados aos dados experimentais. Este procedimento possibilita a compreensão dos fenômenos quânticos envolvidos com a previsão de certas características de dispositivos sem a necessidade prévia de sua produção e testes
Título em inglês
Not available
Palavras-chave em inglês
Capacitance
Electronic structure
FET
HEMT
Simulation
Resumo em inglês
Eletric field effects on the electronic characteristics of semiconductor heterostructures used in recent field effect transistors (FETs) and in a finite superlattice are numerically simulated. This field is due to a voltage bias applied on a Schottky contact. These heterostructures have two-dimensional quantum wells and layers wich can be stressed due to different lattice parameters of the materials involved. Through a numerical self-consistent procedure, many physical quantities are studied, such as the eigen-states and the electronic densities at the sub-bands. The changes in such quantities are associated to the capacitance and to the intrinsic transconductance as a function of the gate voltage. The results are compared to experimental data. This procedure allows the comprehension of the quantum phenomena involved and the prediction of device characteristics, without the need to fabricate and test it
 
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Data de Publicação
2015-08-19
 
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