Neste trabalho realizamos o crescimento de monocristais de α-HgI₂ e PbI₂, utilizados na confecção de detectores de radiação ionizante (raio-x e raio gama) a temperatura ambiente, bem como o crescimento de PbI₂:HgI₂ com composição nominal de HgI₂ variando de 600 ppm ate 50000 ppm. Utilizamos o método de sublimação repetida para a purificação do iodeto de mercúrio e o crescimento do mesmo foi realizado pelo método PVT - "Physical Vapor Transport". Cristais de PbI₂ and PbI₂:HgI₂ foram crescidos pelo método Bridgman. Apesar das diferentes estruturas cristalinas do HgI₂ e PbI₂, encontramos um limite de solubilidade em tomo de 600 ppm do iodeto de mercúrio no iodeto de chumbo. Através das medidas de fotoluminescência obtivemos informações sobre a pureza e qualidade cristalina das amostras obtidas. A largura da banda proibida dos cristais foi determinada através da absorção óptica, sendo de 2.10 eV para o HgI₂ e por volta de 2.3 eV para o PbI₂ e os cristais de PbI₂: HgI₂. Medimos também a condutividade elétrica em função da temperatura em todas as amostras. O valor da condutividade elétrica a temperatura ambiente e de 10^-13 Ω^-1 cm^-1 para o HgI₂, 10^-12Ω^-1 cm^-1 para o PbI₂ e varia entre 10^-11 e 10^-14 Ω^-1 cm^-1 para os cristais de PbI₂: HgI₂. Os cristais de HgI₂ e PbI₂ obtidos possuem boa qualidade cristalina, pureza, altos valores de largura de banda proibida e baixos valores de condutividade elétrica; qualidades necessárias para o bom desempenho em detectores de radiação ionizante

In this work we describe the growth of α-HgI₂ and PbI₂ single crystals, that are used to produce high energy radiation detectors (x-ray and y-ray) at room temperature, as well as the growth of PbI₂:HgI₂ crystals with nominal composition of HgI₂ varying from 600 ppm to 50000 ppm. We used the repeated sublimation method to purify the mercuric iodide, and the growth of this material was done using the "Physical Vapor Transport" - PVT method. PbI₂ and PbI₂:Hgh crystals were growth by Bridgman method. In spite of the difference between the PbI₂ and Hgb structures, we found a solubility limit of about 600 ppm of the mercuric iodide in the lead iodide. Using photoluminescence measurements we got information about purity and crystalline quality of the obtained samples. The gap energy of these crystals was determined through optical absorption, these values are 2.1 eV for HgI₂ and about 2.3 for PbI₂ and PbI₂: HgI₂ crystals. We also made measurements of the temperature dependence of the electrical conductivity in the samples. The electrical conductivity values at room temperature are about 10^-13 Ω^-1 cm^-1 for HgI₂, 10^-12Ω^-1 cm^-1 for PbI₂ and in the range of 10^-11 and 10^-14 Ω^-1 cm^-1 for PbI₂: HgI₂ crystals. The HgI₂ and PbI₂ crystals obtained have good crystalline quality, purity, high values of gap energy and low values of electrical conductivity those are necessary properties to good performance detectors