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Disertación de Maestría
DOI
https://doi.org/10.11606/D.76.1996.tde-06022014-175042
Documento
Autor
Nombre completo
Dione Fagundes de Sousa
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Carlos, 1996
Director
Tribunal
Nunes, Luiz Antonio de Oliveira (Presidente)
Brasil, Maria José Santos Pompeu
Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Título en portugués
Estudos de Campo Eletrico em Super-Redes δ-SiGaAs atraves das Tecnicas de Espectroscopia Raman e Fotorefletancia
Palabras clave en portugués
Fotorefletância
Raman
Semicondutores
Resumen en portugués
Neste trabalho fazemos um estudo dos campos elétricos existentes em super-redes δ-Si:GaAs As técnicas de espectroscopia Raman e fotorefletancia foram utilizadas para fins de comparação do campo elétrico medido indiretamente (Raman) e diretamente (fotorefletancia). Com o objetivo de eliminar os campos elétricos através do efeito fotovoltaico, foram feitas medidas de fotorefletancia para altas intensidades do feixe de prova, porem apenas reduções de ate 30% no valor destes campos foram obtidas. Os tempos de resposta dos portadores responsáveis pela modulação dos campos elétricos foram inferidos através de medidas de fotorefletancia sensível a fase e estão em bom acordo com os tempos medidos através de uma técnica de fotorefletancia desenvolvida em nosso laboratório
Título en inglés
Time-resolved photoreflectance in δ superlattices
Palabras clave en inglés
δ-doped
Photoreflectance
Semiconductor
Resumen en inglés
In the present work we report a study of surface and interface electric fields in δ-Si:GaAs superlattices. Techniques such as photoreflectance (PR) and Raman spectroscopy were used to determine surface electric fields in a direct and indirect way, respectively. The results agree with those expected by Fermi level pinning at the surface. In order to eliminate electric fields via photovoltaic effect, photoreflectance spectra were obtained at high probe intensities, but reductions of just 30% were achieved. In time domain, we show that carriers response time responsible for modulation of electric field can be obtained by means of phase sensitive PR, and are in good agreement with those measured in a time resolved PR technique, developed in our laboratory
 
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DioneSousaM.pdf (2.73 Mbytes)
Fecha de Publicación
2014-02-18
 
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