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Mémoire de Maîtrise
DOI
https://doi.org/10.11606/D.76.1998.tde-22042014-154005
Document
Auteur
Nom complet
Antonio Sergio dos Santos
Unité de l'USP
Domain de Connaissance
Date de Soutenance
Editeur
São Carlos, 1998
Directeur
Jury
Hornos, Jose Eduardo Martinho (Président)
Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo
Machado, Luiz Eugenio
Titre en portugais
O método adiabático hiperesférico para excitons ligados à impurezas doadoras em semicondutores
Mots-clés en portugais
Excitons
Método adiabático hiperesférico
Problema de três corpos
Resumé en portugais
Energias de ligação para excitons ligados por impurezas doadoras no ZnSe e CdS são calculadas pelo Método Adiabático Hiperesférico. Os acoplamentos não adiabáticos são incluídos na equação radial levando a valores de energias menores que os valores variacionais encontrados na literatura. Estados ressonantes, similares a estados autoionizantes em átomos de dois elétrons, são obtidos acima do primeiro limiar de ionização elétron-impureza.
Titre en anglais
Hyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors
Mots-clés en anglais
Excitons
Hyperspherical adiabatic approach
Three-body problem
Resumé en anglais
Binding energy for excitons trapped by impurities in ZnSe and CdS are calculated withing the hyperspherical adiabatic approach. The non adiabatic couplings are included in the radial equations leading to energies lower than the variational values available in the literature. Resonant states similar to autoionizing lines in atoms are predicted to lie above the first electron-impurity ionization threshold.
 
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Date de Publication
2014-04-24
 
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