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Disertación de Maestría
DOI
https://doi.org/10.11606/D.76.1998.tde-22042014-154005
Documento
Autor
Nombre completo
Antonio Sergio dos Santos
Instituto/Escuela/Facultad
Área de Conocimiento
Fecha de Defensa
Publicación
São Carlos, 1998
Director
Tribunal
Hornos, Jose Eduardo Martinho (Presidente)
Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo
Machado, Luiz Eugenio
Título en portugués
O método adiabático hiperesférico para excitons ligados à impurezas doadoras em semicondutores
Palabras clave en portugués
Excitons
Método adiabático hiperesférico
Problema de três corpos
Resumen en portugués
Energias de ligação para excitons ligados por impurezas doadoras no ZnSe e CdS são calculadas pelo Método Adiabático Hiperesférico. Os acoplamentos não adiabáticos são incluídos na equação radial levando a valores de energias menores que os valores variacionais encontrados na literatura. Estados ressonantes, similares a estados autoionizantes em átomos de dois elétrons, são obtidos acima do primeiro limiar de ionização elétron-impureza.
Título en inglés
Hyperspherical adiabatic approach for excitons bound to ionized donors in semiconductors
Palabras clave en inglés
Excitons
Hyperspherical adiabatic approach
Three-body problem
Resumen en inglés
Binding energy for excitons trapped by impurities in ZnSe and CdS are calculated withing the hyperspherical adiabatic approach. The non adiabatic couplings are included in the radial equations leading to energies lower than the variational values available in the literature. Resonant states similar to autoionizing lines in atoms are predicted to lie above the first electron-impurity ionization threshold.
 
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Fecha de Publicación
2014-04-24
 
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