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Dissertação de Mestrado
DOI
10.11606/D.54.1988.tde-27032015-145656
Documento
Autor
Nome completo
Artemis Marti Ceschin
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Carlos, 1988
Orientador
Banca examinadora
Basso, Heitor Cury (Presidente)
Li, Maximo Siu
Oliveira, Alfredo Gontijo de
Título em português
Sistema para epitaxia por feixe molecular
Palavras-chave em português
Não disponível
Resumo em português
Este trabalho apresenta a instalação e operação de um sistema de Epitaxia por feixe molecular (EFM). Para tanto, foi necessário um estudo da literatura existente, a qual serviu também posteriormente para a comparação de alguns resultados obtidos. A condição de ultra-alto-vácuo (UHV) da ordem de 5.10-11mbar necessária para o crescimento de filmes de GaAs por EFM foi alcançada bombeando-se o sistema após a utilização de técnicas de limpeza de aço inox (eletropolimento) e desgasificação. As superfícies dos filmes de GaAs obtidos foram examinadas por microscopia ótica, e revelou a existência de: defeitos ovais, defeitos do tipo agulha, regiões de crescimento policristalino, regiões da superfície ricas em Gae interface substrato-filme. Além disso fizemos medidas da mobilidade Hall e alguns espectros de fotoluminescência.
Título em inglês
Not available
Palavras-chave em inglês
Not available
Resumo em inglês
This work presents the installation and operation of a BEM system. To do so, it was necessary a study of the literature, which was also necessary to compare the results obtained here. The UHV (5.10-11mbar) necessary for the growth of the GaAs films by BEM has been reached after the utilization of electro polishing of stainless steel and outgassing of the system. The GaAs films obtained here had their surface analyzed by an optical microscope, which showed: oval defect, needles, polycrystalline growth, surface caused by Ga-rich evaporation condition and substrate-film interface. The characterization of the films was obtained by Hall effect and by photoluminescence
 
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Data de Publicação
2015-03-31
 
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