Um modulador óptico de intensidade baseado na tecnologia de circuitos integrados monolíticos de microondas foi investigado. A estrutura do dispositivo é composta de um guia de onda de quatro camadas. O campo elétrico das microondas depleta os portadores na casca ativa e isto resulta na geração de uma variação periódica do índice de refração, isto é, uma rede de difração, devido aos efeitos eletro-óptico e dopagem. A interação do campo óptico com a estrutura periódica resulta na modulação da intensidade da luz. O projeto especial do guia de onda óptico proporciona alto fator de confinamento na casca ativa resultando também em alto coeficiente de acoplamento, situado entre 8 e 17 cm^-1. A concentração de portadores e espessura da casca ativa está compreendida entre 2x10¹⁷ e 10¹⁸ cm^-3 e 0.23 e 0.065 μm, respectivamente. O comprimento do dispositivo situa-se entre 500 e 2200 μm para índices de modulação superiores a 50%. Larguras de banda tão amplas quanto 24GHz para 50% e 12 GHz para 90% de índice de modulação foram obtidas. A atenuação óptica média devido à absorção dos materiais é ∼ 0.25 dB. A voltagem aplicada está situada entre 3.0 e 7.0V. Devido à característica capacitiva do dispositivo, não há praticamente drenagem de corrente, resultando em muito baixo consumo de potência

A MMIC based intensity modulator was investigated. The device optical structure is composed of a four layer waveguide. The microwave electric fields depletes the carriers in na active cladding which generates a periodic refractive índex variation, a grating, due to the electro-optic and doping effects. The interaction of the optical field with the grating results in the intensity modulation of the light. The specially designed optical waveguide provides a high confinement factor in the active cladding, resulting in a high coupling coefficient ranging from 8 to 17cm^-1. The Carrier concentration and thickness of the active cladding range from 2x10¹⁷ to 10¹⁸ cm^-3, and from 0.23 to 0.065 μm, respectively. The device lenght extents from 500 to 2200 μm for modulation índex higher than 50%. Bandwidth is as high as 24GHz for 50% and 12GHz for 90% of modulation índex. The average device material optical attenuation is ∼ 0.25 dB. The driving voltage ranges from 3.0 to 7.0V. Since the device is capacitive it drains very small current resulting in very low power consuption