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Tese de Doutorado
DOI
10.11606/T.54.1993.tde-07042015-171926
Documento
Autor
Nome completo
Jose Carlos Rossi
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Carlos, 1993
Orientador
Banca examinadora
Basmaji, Pierre (Presidente)
Castro Neto, Jarbas Caiado de
Degani, Marcos Henrique
Galzerani, José Claudio
Meneses, Eliermes Arraes
Título em português
Crescimento e caracterização de estruturas eletrônicas de GaAs/AlGaAs para aplicação em dispositivos
Palavras-chave em português
Não disponível
Resumo em português
O presente trabalho descreve a preparação de estruturas semicondutoras a base de AlGaAs/GaAs para a aplicações em dispositivos eletrônicos. As amostras utilizadas foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE Molecular Beam Epitaxy). São apresentados os resultados dos estudos realizados para a preparação de amostras, e analises de morfologia através de microscopia eletrônica de varredura SEM (Scaning Eletronic Microscopy). A calibração da maquina de crescimento efetuadas através de RHEED (Reflection High Energy Electron Difraction). Nas amostras preparadas, foram feitas medidas de transporte eletrônico no gás bi-dimensional das estruturas, através de efeito Hall, e Shubnikov de-Haas (SdH), para determinação de concentração e mobilidade do portadores. Os perfis de concentração com a profundidade foram determinados pela técnica de capacitância voltagem (C-V) As ligas constituintes dos contatos elétricos dos transistores implementados foram determinadas por fluorescência de raios x. São descritos também o processo de fabricação de transistores de efeito de campo em gás bidimensional, Two Electron Gas Field Effect Transistor (TEGFET). Para a implementação destes transistores foram utilizadas amostras com dopagem planar (delta), assim como amostras de AlGaAs/GaAs no caso de High Eletron Mobility Transistor (HEMT). Foram implementados transistores em amostras do tipo dopagem delta e estruturas uniformemente dopadas (HEMT). São apresentadas as curvas características dos transistores medidas na temperatura ambiente e a nitrogênio liquido. A variação da resistividade das amostras HEMT com a temperatura e influencia dos níveis profundos, nestas estruturas
Título em inglês
Not available
Palavras-chave em inglês
Not available
Resumo em inglês
In the present work we electronic AlGaAs/GaAs semiconductor in electronic devices. The samples were grown by molecular beam epitaxy. We present also study results realized for sample preparation and electronic microscopy analysis. The calibration of growth rates was made by RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) oscillations. In the produced samples, measurements were made of electronic transport of electrons in bi-dimensional electron gas, by Hall effect and Shubnikov de Hass for determination of electron concentration and mobility. The dopant profile was measured by C-V, and the composition of alloyed ohmic contacts was observed by x-ray fluorescence. We describe yet the fabrication process of two dimensional electron gas field effect transistor (TEGFET). For the implementation of this device we used electronic structures of GaAs/AlGaAs (HEMT) and delta doping. Some transistor prototypes were implemented. We present some characteristics like I-V at room temperature and liquid nitrogen temperature, resistence as function of temperature and light showing persistent photo conductivity effects
 
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JoseCarlosRossiD.pdf (5.91 Mbytes)
Data de Publicação
2015-04-08
 
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