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Dissertação de Mestrado
DOI
10.11606/D.54.1990.tde-12022015-144437
Documento
Autor
Nome completo
Jean-jacques Georges Soares de Groote
Unidade da USP
Área do Conhecimento
Data de Defesa
Imprenta
São Carlos, 1990
Orientador
Banca examinadora
Hornos, Jose Eduardo Martinho (Presidente)
Coelho, Helio Teixeira
Hipolito, Oscar
Título em português
Excitons ligados a impurezas doadoras em semicondutores
Palavras-chave em português
Não disponível
Resumo em português
O estudo de excitons livres é realizado de modo adequado por uma simples aproximação hidrogenóide, mas, quando estão ligados a imperfeições torna-se necessário uma aproximação matemática mais sofisticada. Neste trabalho, o sistema de três corpos éxciton-impureza é analisado pelo método das coordenadas hiperesféricas na aproximação adiabática, introduzindo este método em problemas de física do estado sólido. Entre os resultados obtidos estão valores precisos de energia de ligação para estados fundamentais e a predição de ressonâncias
Título em inglês
Not available
Palavras-chave em inglês
Not available
Resumo em inglês
The study of free excitons can be adequately performed through a simple hydrogenoide approximation, but, when they are linked to impurities a more sophisticated mathematical approach is required. In this work, the exciton-impurity three body systems is analyzed with the method of the hyperspheric coordinates in the adiabatic approach, introducing this method to solid state physical problems. Included in obtained results are precise values for the bonding energy for the ground state and the prediction of resonances
 
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Data de Publicação
2015-02-13
 
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